METHOD AND APPARATUS FOR ANALYSIS OF PROCESSING OF A SEMICONDUCTOR WAFER
An apparatus and method for analyzing processing of a semiconductor wafer are disclosed. The method includes a step of collecting a plurality of items of processing data; a step of applying at least one process model to at least part of the plurality of items of process data and deriving at least on...
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Format | Patent |
Language | English Korean |
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27.02.2017
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Summary: | An apparatus and method for analyzing processing of a semiconductor wafer are disclosed. The method includes a step of collecting a plurality of items of processing data; a step of applying at least one process model to at least part of the plurality of items of process data and deriving at least one process result set; a step of comparing at least part of the derived process result set or at least part of the plurality of items of process data with a process window; and a step of outputting a comparison result set based on a comparison of the process window of the plurality of items of process data or the derived process result set. So, the yield of the semiconductor wafer can be improved.
처리 데이터의 복수의 항목을 수집하는 단계; 처리 데이터의 복수의 항목의 적어도 일부에 적어도 하나의 공정 모델을 적용하여, 적어도 하나의 공정 결과 세트를 유도하는 단계; 유도된 공정 결과 세트의 적어도 일부 또는 처리 데이터의 복수의 항목의 적어도 일부를 공정 윈도우와 비교하는 단계; 및 유도된 공정 결과 세트 또는 처리 데이터의 복수의 항목의 공정 윈도우와의 비교에 기초하여, 비교 결과 세트를 출력하는 단계를 포함하는, 반도체 웨이퍼 처리의 분석 장치 및 방법이 개시된다. |
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Bibliography: | Application Number: KR20160104471 |