SUBSTRATE PROCESSING APPARATUS AND SUBSTRATE PROCESSING METHOD

• Main Authors: KAWANO HISASHI, AIBARA MEITOKU, KAGAWA KOJI, YOSHIDA YUKI
• Format: Patent
• Language: English; Korean
• Published: 15.02.2017
• Subjects: BASIC ELECTRIC ELEMENTS; ELECTRIC SOLID STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR; ELECTRICITY; SEMICONDUCTOR DEVICES

The purpose of the present invention is to remove a solid matter, filling a concave part of an uneven pattern and containing a sublimating substance and impurities, from a substrate with the uneven pattern formed on its surface, and to prevent the sublimating substance and impurities, removed from the substrate, from being reattached to the substrate. When the solid matter, filling the concave part of the substrate (W), contains a solid sublimating substance sublimated at not less than a first temperature under atmospheric pressure in a processing chamber (52), and impurities evaporated at not less than a second temperature higher than the first temperature under the atmospheric pressure in the processing chamber (52), one or both of exhaust parts (62, 63) discharge the atmosphere from the processing chamber (52) while a substrate heating part (57) heats the substrate (W) in the processing chamber (52) up to not less than the second temperature. 본 발명은, 요철 패턴이 표면에 형성된 기판으로부터, 요철 패턴의 오목부 내에 충전된, 승화성 물질 및 불순물을 함유하는 고형물을 제거하고, 기판으로부터 일단 제거된 승화성 물질 및 불순물의 기판에의 재부착을 방지하는 것을 목적으로 한다. 기판(W)의 오목부 내에 충전된 고형물이, 처리실(52) 내의 분위기 압력 하, 제1 온도 이상의 온도에서 승화하는 고체 상태의 승화성 물질과, 처리실(52) 내의 분위기 압력 하, 제1 온도보다 높은 제2 온도 이상의 온도에서 증발하는 불순물을 함유할 때, 배기부(62) 및 배기부(63) 중 한쪽 또는 양쪽에 의해 처리실(52) 내의 분위기를 배출하면서, 기판 가열부(57)에 의해 처리실(52) 내에 배치된 기판(W)을 제2 온도 이상의 온도까지 가열한다.