Method of forming a material layer

• Main Authors: LEE, YONG JAE, LIM, HAN JIN, KIM, HYUN JUN, KIM, YOUN SOO, MOON, SUN MIN, OH, SE HOON, LEE, JIN SUN
• Format: Patent
• Language: English; Korean
• Published: 14.02.2017
• Subjects: BASIC ELECTRIC ELEMENTS; ELECTRIC SOLID STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR; ELECTRICITY; SEMICONDUCTOR DEVICES

The present invention relates to a method for forming a material film. The present invention provides the method for forming a material film, which includes the steps of: providing a substrate in a reaction chamber; supplying a source material which is a metal or semimetal precursor with ligand on the substrate; supplying an ether-based modifier on the substrate; purging the inside of the reaction chamber; and supplying a reaction material which can react with the source material to form the material film. By using the method for forming a material film according to the present invention, the material film with high step coverage can be stably manufactured in spite of changes in other process variables. 본 발명은 물질막 형성 방법에 관한 것으로서, 반응 챔버 내에 기판을 제공하는 단계; 상기 기판 상에 리간드를 갖는 금속 또는 준금속의 전구체인 소스 물질을 제공하는 단계; 상기 기판 상에 에테르계 개질제(modifier)를 제공하는 단계; 상기 반응 챔버의 내부를 퍼지(purge)하는 단계; 및 상기 소스 물질과 반응하여 물질막을 형성할 수 있는 반응 물질을 제공하는 단계를 포함하는 물질막 형성 방법을 제공한다. 본 발명의 물질막 형성 방법을 이용하면 다른 공정 변수의 변화에도 불구하고 우수한 스텝 커버리지를 갖는 물질막을 안정적으로 제조할 수 있다.