SEAM HEALING OF METAL INTERCONNECTS

• Main Authors: PLOMBON JOHN J, CHEBIAM RAMANAN V, JEZEWSKI CHRISTOPHER J, INDUKURI TEJASWI K, CLARKE JAMES S
• Format: Patent
• Language: English; Korean
• Published: 10.02.2017
• Subjects: BASIC ELECTRIC ELEMENTS; ELECTRIC SOLID STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR; ELECTRICITY; SEMICONDUCTOR DEVICES

본 개시내용의 실시예들은 금속 인터커넥트 내의 시임 및 보이드의 제거, 및 관련 기술 및 구성을 설명한다. 일 실시예에서, 방법은 인터커넥트를 형성하기 위해, 유전성 재료 내에 배치된 리세스 내에 금속을 균등하게 퇴적하는 단계 - 금속을 균등하게 퇴적하는 단계는 리세스 내의 또는 리세스에 바로 인접하는 퇴적된 금속 내에 시임 또는 보이드를 유발함 - 및 시임 또는 보이드를 제거하기 위해 반응 가스의 존재하에 금속을 가열하는 단계를 포함하고, 금속은 구리의 융점보다 높은 융점을 갖는다. 다른 실시예들이 설명 및/또는 청구될 수 있다. Embodiments of the present disclosure describe removing seams and voids in metal interconnects and associated techniques and configurations. In one embodiment, a method includes conformally depositing a metal into a recess disposed in a dielectric material to form an interconnect, wherein conformally depositing the metal creates a seam or void in the deposited metal within or directly adjacent to the recess and heating the metal in the presence of a reactive gas to remove the seam or void, wherein the metal has a melting point that is greater than a melting point of copper. Other embodiments may be described and/or claimed.