METHOD FOR DETECTING PRESENCE AND LOCATION OF DEFECTS IN A SUBSTRATE

• Main Authors: PAN ZHENG YANG, KUAN SHU, LIN CHIEN FENG, HUNG SHIH WEI
• Format: Patent
• Language: English; Korean
• Published: 08.02.2017
• Subjects: BASIC ELECTRIC ELEMENTS; ELECTRIC SOLID STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR; ELECTRICITY; SEMICONDUCTOR DEVICES

Disclosed is a method to detect a defect on a substrate and its position. According to an embodiment, the method includes: a step of forming a semiconductor material in a plurality of openings of a reference wafer by using an epitaxial growth process; a step of conducting at least one measurement on the reference wafer to obtain a base line signal; a step of forming a plurality of gate stacks and stressor areas on a plurality of substrates; a step of forming a semiconductor material in a plurality of openings of a batch wafer after forming the gate stacks; a step of conducting at least one measurement on the batch wafer to obtain a batch signal; a step of comparing the batch signal with the base line signal; and a step of determining whether a defect exists on the substrates or not based on the comparison. 기판 위의 결함의 존재 및 위치를 검출하는 방법이 개시된다. 실시예에서, 방법은, 에피텍셜 성장 프로세스를 사용하여 기준 웨이퍼에서의 복수의 개구들에 반도체 재료를 형성하는 단계; 베이스라인 신호를 얻도록 기준 웨이퍼에 대해 하나 이상의 측정을 수행하는 단계; 복수의 기판들에 복수의 게이트 스택들 및 스트레서 영역들을 형성하는 단계; 복수의 게이트 스택들을 형성한 후에, 배치 웨이퍼에서의 복수의 개구들에 반도체 재료를 형성하는 단계; 배치 신호를 얻도록 배치 웨이퍼에 대해 하나 이상의 측정을 수행하는 단계; 배치 신호를 베이스라인 신호와 비교하는 단계; 및 비교에 기초하여 복수의 기판들 위에 결함이 존재하는지 여부를 결정하는 단계를 포함할 수 있다.