METHOD FOR FORMING A METAL CAP IN A SEMICONDUCTOR MEMORY DEVICE

본 발명의 예시적 실시형태들은 산화성 또는 부식성 환경에서, 리세싱된 셀 구조체 내부의 구성요소들의 열화를 방지하기 위해, 셀 구조체(202) 위에 캡(300)을 형성하도록 재료를 선택적으로 퇴적하는 단계를 포함하는, 반도체 메모리 디바이스의 제조 방법에 관한 것이다. Exemplary embodiments of the present invention are directed towards a method for fabricating a semiconductor memory device comprising selectively dep...

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Main Authors RAMALINGAM SHYAM, DAMARLA GOWRISANKAR, LI HONGQI, LU JIN, BALAKRISHNAN MURALIKRISHNAN, BIAN ZAILONG, ZHU XIAOYUN
Format Patent
LanguageEnglish
Korean
Published 25.01.2017
Subjects
ELECTRICITY
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Summary:본 발명의 예시적 실시형태들은 산화성 또는 부식성 환경에서, 리세싱된 셀 구조체 내부의 구성요소들의 열화를 방지하기 위해, 셀 구조체(202) 위에 캡(300)을 형성하도록 재료를 선택적으로 퇴적하는 단계를 포함하는, 반도체 메모리 디바이스의 제조 방법에 관한 것이다. Exemplary embodiments of the present invention are directed towards a method for fabricating a semiconductor memory device comprising selectively depositing a material to form a cap above a recessed cell structure in order to prevent degradation of components inside the cell structure in oxidative or corrosive environments.
Bibliography:Application Number: KR20167030819