FINFET FINFET CHANNEL ON OXIDE STRUCTURES AND RELATED METHODS

• Main Authors: LEUNG YING KEUNG, TSAI CHING WEI, CHING KUO CHENG
• Format: Patent
• Language: English; Korean
• Published: 09.01.2017
• Subjects: BASIC ELECTRIC ELEMENTS; ELECTRIC SOLID STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR; ELECTRICITY; SEMICONDUCTOR DEVICES

A method for manufacturing a semiconductor device having a substantially undoped channel region comprises a step of forming a plurality of fins extended from a substrate. In various embodiments of the present invention, each of the fins includes a portion of a substrate, a portion of a first epitaxial layer on the portion of the substrate, and a portion of a second epitaxial layer on the portion of the first epitaxial layer. The portion of the first epitaxial layer of each of the fins is oxidized, and a liner layer is formed on each of the fins. Then recessed isolation regions are formed adjacent to the liner layer. Then the liner layer is etched to expose a residual material portion (e.g., Ge residue) adjacent to a bottom surface of the portion of the second epitaxial layer of each of the fins and the residual material portion is removed. 실질적으로 도핑되지 않은(undoped) 채널 영역을 갖는 반도체 장치를 제조하는 방법은 기판으로부터 연장되는 복수의 핀들(fins)을 형성하는 단계를 포함한다. 다양한 실시예들에서, 상기 복수의 핀들 각각은 기판의 부분, 상기 기판의 상기 부분 상의 제 1 에피택셜 층의 부분, 및 상기 제 1 에피택셜 층의 상기 부분 상의 제 2 에피택셜 층의 부분을 포함한다. 상기 복수의 핀들 각각의 상기 제 1 에피택셜 층의 상기 부분은 산화되고, 라이너(liner) 층이 상기 복수의 핀들 각각의 위에 형성된다. 다음에, 리세스된(recessed) 격리 영역들이 상기 라이너 층에 인접하여 형성된다. 다음에, 상기 라이너 층은 상기 복수의 핀들 각각의 상기 제 2 에피택셜 층의 상기 부분의 하단 표면(bottom surface)에 인접한 잔류 물질 부분(예를 들면, Ge 잔류물)을 노출시키기 위해 에칭되고, 상기 잔류 물질 부분은 제거된다.