METHOD OF MAKING POLISHING LAYER FOR CHEMICAL MECHANICAL POLISHING PAD
According to the present invention, provided is a method to make a polishing layer for a chemical mechanical polishing (CMP) pad, comprising the following steps of: providing a mold having a basis with intaglio of a groove pattern; providing a polycide (P) liquid component; providing an isocide (I)...
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Format | Patent |
Language | English Korean |
Published |
04.01.2017
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Summary: | According to the present invention, provided is a method to make a polishing layer for a chemical mechanical polishing (CMP) pad, comprising the following steps of: providing a mold having a basis with intaglio of a groove pattern; providing a polycide (P) liquid component; providing an isocide (I) liquid component; providing an axial mixing device; injecting the polycide (P) liquid component, the isocide (I) liquid component, and pressurizing gas into the axial mixing device to form a combination material; discharging the combination material from the axial mixing device to the basis at a speed of 5 to 1,000 m/sec; solidifying the combination material into cake; and inducing a polishing layer for a CMP pad from the cake. According to the present invention, the polishing layer for the CMP pad has a polishing pattern with the groove pattern formed in a polishing surface and the polishing surface is applied to polish a substrate.
하기를 포함하는 화학적 기계적 연마 패드 연마층의 형성 방법이 제공된다: 그루브 패턴의 음각이 있는 기저를 갖는 주형을 제공하는 단계; 폴리 사이드 (P) 액체 성분을 제공하는 단계; 이소 사이드 (I) 액체 성분을 제공하는 단계; 가압 가스를 제공하는 단계; 축방향 혼합 장치를 제공하는 단계; 폴리 사이드 (P) 액체 성분, 이소 사이드 (I) 액체 성분 및 가압 가스를 축방향 혼합 장치에 주입하여 조합물을 형성하는 단계; 조합물을 축방향 혼합 장치로부터 기저를 향해 5 내지 1,000 m/sec의 속도로 배출하는 단계; 조합물을 케이크로 고화시키는 단계; 케이크로부터 화학적 기계적 연마 패드 연마층을 유도하는 단계로서, 상기 화학적 기계적 연마 패드 연마층은 연마 표면 내에 형성된 그루브 패턴이 있는 연마 표면을 갖고; 그리고 상기 연마 표면은 기판을 연마하기 위해 적용되는 것인 단계. |
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Bibliography: | Application Number: KR20160078654 |