ETCHING METHOD

• Main Authors: SUGIMOTO MASARU, KIMURA SOICHIRO, HIDAKA AKIRA
• Format: Patent
• Language: English; Korean
• Published: 03.01.2017
• Subjects: BASIC ELECTRIC ELEMENTS; ELECTRIC SOLID STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR; ELECTRIC TECHNIQUES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR; ELECTRICITY; PLASMA TECHNIQUE; PRODUCTION OF ACCELERATED ELECTRICALLY-CHARGED PARTICLES OR OFNEUTRONS; PRODUCTION OR ACCELERATION OF NEUTRAL MOLECULAR OR ATOMICBEAMS; SEMICONDUCTOR DEVICES

Disclosed is a method for selectively etching a first region composed of silicon oxide with respect to a second region composed of silicon nitride. According to an embodiment of the present invention, the method comprises processes of: performing a first sequence once or more; and performing a second sequence once or more. The first sequence includes: forming a fluorocarbon-containing deposit on a workpiece; and then etching the first region by radicals of fluorocarbon of the deposit. The second sequence includes: forming the fluorocarbon-containing deposit on the workpiece; and then reducing the deposit by active species of oxygen while further etching the first region by active species generated from inert gas. [과제] 산화실리콘으로 구성된 제1 영역을 질화실리콘으로 구성된 제2 영역에 대하여 선택적으로 에칭하는 방법이 제공된다. [해결수단] 일실시형태의 방법은, 제1 시퀀스를 1회 이상 실행하는 공정과, 제2 시퀀스를 1회 이상 실행하는 공정을 포함한다. 제1 시퀀스에서는, 플루오로카본을 포함하는 퇴적물이 피처리체 상에 형성되고, 이어서, 퇴적물 중의 플루오로카본의 라디칼에 의해 제1 영역이 에칭된다. 제2 시퀀스에서는, 플루오로카본을 포함하는 퇴적물이 피처리체 상에 형성되고, 이어서, 산소의 활성종에 의해 퇴적물이 감소되고 또한 불활성 가스로부터 생성되는 활성종에 의해 제1 영역이 더 에칭된다.