Method of fabricating insulated probe pin

• Main Authors: SHIN, SEA HOON, KIM, HAK JUN, BAEK, BYEONG SEON, LIM, TAE KYUN, PYO, CHANG RYUL
• Format: Patent
• Language: English; Korean
• Published: 27.12.2016
• Subjects: MEASURING; MEASURING ELECTRIC VARIABLES; MEASURING MAGNETIC VARIABLES; PHYSICS; TESTING

The present invention relates to a method for manufacturing a probe pin installed on a probe card, which is used to inspect electrical characteristics of a test target object such as a semiconductor chip or the like, to be in contact with a terminal of the test target object. To achieve this, according to the present invention, the method for manufacturing a probe pin comprises: (a) a step of fixing a plurality of conductive wires to a jig; (b) a step of masking at least one end of each conductive wire; (c) a step of depositing and coating a surface of each conductive wire having at least one masked end with an insulation layer having thickness of 1 to 1.5 m; (d) a step of exfoliating masking agent of the conductive wires to allow the masked ends of the conductive wires to be exposed to obtain probe pins; and (e) a step of separating the probe pins from the jig. According to the present invention, the method for manufacturing a probe pin coated with an insulation layer has an advantage to form a very thin insulation layer through a comparatively simple deposition coating method. Therefore, when the present invention is used, a probe pin for probing a very large scale and ultra-high integrated circuit terminal with a pitch interval of about 65-85 m can be easily manufactured. 본 발명은 반도체 칩 등 검사대상의 전기적 특성을 검사하기 위해 사용되는 프로브 카드에 설치되어, 검사대상의 단자와 접촉하는 프로브 핀의 제조방법에 관한 것이다. 상술한 목적을 달성하기 위한 본 발명에 따른 프로브 핀의 제조방법은 (a) 지그에 복수의 전도성 와이어를 고정하는 단계와, (b) 상기 전도성 와이어들 각각의 적어도 일단부를 마스킹(masking)하는 단계와, (c) 적어도 일단부가 마스킹된 상기 전도성 와이어들의 표면에 1 내지 1.5㎛ 두께의 절연층을 전착 코팅하는 단계와, (d) 상기 전도성 와이어들의 마스킹제를 박리하여 전도성 와이어들의 마스킹되었던 단부를 노출시켜 프로브 핀들을 얻는 단계와, (e) 상기 프로브 핀들을 지그에서 분리하는 단계를 포함한다. 본 발명에 따른 절연층이 코팅된 프로브 핀의 제조방법은 비교적 간단한 전착 코팅 방법으로 매우 얇은 절연층을 형성할 수 있다는 장점이 있다. 따라서 본 발명을 활용하면, 피치간격이 65 ~ 85㎛ 정도인 초 고밀도, 초 고집적의 회로 단자를 탐침하기 위한 프로브 핀을 용이하게 제조할 수 있다.