DEVICES INCLUDING GATE SPACER WITH GAP OR VOID AND METHODS OF FORMING THE SAME

• Main Authors: LEUNG YING KEUNG, TSAI CHING WEI, CHING KUO CHENG, LIU CHI WEN
• Format: Patent
• Language: English; Korean
• Published: 23.12.2016
• Subjects: BASIC ELECTRIC ELEMENTS; ELECTRIC SOLID STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR; ELECTRICITY; SEMICONDUCTOR DEVICES

Described are a structure and device including a gate spacer with a gap or a void and forming methods thereof, together. According to some embodiments of the present invention, the structure includes a substrate, a gate stack on the substrate, a contact part on the substrate, and a spacer which is arranged between the gate stack and the contact part in a lateral direction. The spacer includes a first dielectric sidewall part and a second dielectric sidewall part. The void is arranged between the first dielectric sidewall part and the second dielectric sidewall part. The present invention can prevent the reduction of the operation speed of the device due to the increase of parasitic capacitance. 간극 또는 공극을 갖는 게이트 스페이서를 포함하는 디바이스 및 구조체가 그러한 디바이스 및 구조체를 형성하는 방법과 함께 설명된다. 몇몇 실시예에 따르면, 구조체는 기판, 기판 위의 게이트 스택, 기판 위의 접촉부, 및 게이트 스택과 접촉부 사이에 측방향으로 배치되는 스페이서를 포함한다. 스페이서는 제1 유전체 측벽 부분과 제2 유전체 측벽 부분을 포함한다. 제1 유전체 측벽 부분과 제2 유전체 측벽 부분 사이에 공극이 배치된다.