SEMICONDUCTOR DEVICE AND MANUFACTURING METHOD THEREOF

• Main Authors: LEUNG YING KEUNG, CHING KUO CHENG, LIU CHI WEN
• Format: Patent
• Language: English; Korean
• Published: 23.12.2016
• Subjects: BASIC ELECTRIC ELEMENTS; ELECTRIC SOLID STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR; ELECTRICITY; SEMICONDUCTOR DEVICES

A method includes the steps of: forming a gate stack on a middle portion of a semiconductor fin; and forming a first gate spacer on a sidewall of the gate stack. After the first gate spacer is formed, a template dielectric region is formed to cover the semiconductor fin. The method further includes the step of recessing the template dielectric region. After the recessing step, a second gate spacer is formed on the sidewall of the gate stack. The end portion of the semiconductor fin is etched to form a recess in the template dielectric region. A source/drain region epitaxially grows in the recess. Accordingly, the present invention can improve manufacturing efficiency and reduce manufacturing costs. 방법은 반도체 핀의 중간 부분 상에 게이트 스택을 형성하는 단계, 및 게이트 스택의 측벽 상에 제1 게이트 스페이서를 형성하는 단계를 포함한다. 제1 게이트 스페이서를 형성한 후에, 반도체 핀을 덮도록 템플릿 유전체 구역이 형성된다. 방법은 템플릿 유전체 구역을 리세스 가공하는 단계를 더 포함한다. 리세스 가공 후에, 게이트 스택의 측벽 상에 제2 게이트 스페이서를 형성한다. 반도체 핀의 단부가 에칭되어 템플릿 유전체 구역에 리세스를 형성한다. 리세스 내에서 소스/드레인 구역이 에피택셜 성장된다.