DOPED GRAPHENE ELECTRODES AS INTERCONNECTS FOR FERROELECTRIC CAPACITORS

도핑된 그래핀 하부 전극을 갖는 강유전체 커패시터 및 그에 대한 이용에 대하여 설명한다. 도핑된 그래핀 하부 전극은 도핑된 그래핀 층과 상부 전극 사이에 도핑된 강유전체 층을 갖는 기판에 도핑된다. A ferroelectric capacitor having a doped graphene bottom electrode and uses thereof are described. The doped graphene bottom electrode layer is deposited on a substrate with a ferroelectric...

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Main Author KHAN MOHD ADNAN
Format Patent
LanguageEnglish
Korean
Published 21.12.2016
Subjects
BASIC ELECTRIC ELEMENTS
CAPACITORS
CAPACITORS, RECTIFIERS, DETECTORS, SWITCHING DEVICES ORLIGHT-SENSITIVE DEVICES, OF THE ELECTROLYTIC TYPE
ELECTRICITY
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Summary:도핑된 그래핀 하부 전극을 갖는 강유전체 커패시터 및 그에 대한 이용에 대하여 설명한다. 도핑된 그래핀 하부 전극은 도핑된 그래핀 층과 상부 전극 사이에 도핑된 강유전체 층을 갖는 기판에 도핑된다. A ferroelectric capacitor having a doped graphene bottom electrode and uses thereof are described. The doped graphene bottom electrode layer is deposited on a substrate with a ferroelectric layer deposited between the doped graphene layer and a top electrode.
Bibliography:Application Number: KR20167032959