HIGH-IMPLANT CHANNEL SEMICONDUCTOR DEVICE AND METHOD FOR MANUFACTURING THE SAME

• Main Authors: TSAI FU HUAN, YEH TZU JIN, LIANG VICTOR CHIANG, HUANG CHI FENG, HSIEH HSIEH HUNG, CHU HONG LIN, CHEN CHIA CHUNG, TSAI HAN MIN
• Format: Patent
• Language: English; Korean
• Published: 14.12.2016
• Subjects: BASIC ELECTRIC ELEMENTS; ELECTRIC SOLID STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR; ELECTRICITY; SEMICONDUCTOR DEVICES

A method for manufacturing a semiconductor device including an upper-channel implant transistor is provided. The method comprises a step of forming one or more fins extending in a first direction on a substrate. The one or more fins include a first region along the first direction and second regions on both sides of the first region along the first direction. A dopant is shallowly implanted in an upper portion of the first region of the fins but not in the second regions and not in a lower portion of the first region of the fins. A gate structure extending in a second direction perpendicular to the first direction is formed on the first region of the fins, and source/drains are formed on the second regions of the fins, thereby forming an upper-channel implant transistor. 상위 채널 주입 트랜지스터를 포함하는 반도체 디바이스를 제조하기 위한 방법이 제공된다. 방법은 기판 위에 제 1 방향으로 연장된 하나 이상의 핀을 형성하는 단계를 포함한다. 하나 이상의 핀은 제 1 방향을 따른 제 1 영역, 및 제 1 방향을 따른 제 1 영역의 양측 상의 제 2 영역을 포함한다. 도펀트는 핀의 제 1 영역의 상위 부분에 얕게 주입되고, 핀의 제 1 영역의 하위 부분 및 제 2 영역에는 주입되지 않는다. 제 1 방향에 수직인 제 2 방향으로 연장된 게이트 구조물이 핀의 제 1 영역 위에 형성되고, 소스/드레인이 핀의 제 2 영역 위에 형성되어, 이에 의해, 상위 채널 주입 트랜지스터를 형성한다.