REFLECTIVE PHOTOMASK AND REFLECTION-TYPE MASK BLANK

A reflection type photo-mask comprises a substrate (100) including a substrate layer (115) of a low-thermal expansion material. The substrate layer (115) includes a main body portion (112) with a first structural configuration and an auxiliary portion (111) with a second structural configuration, th...

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Main Authors SCHEDEL THORSTEN, BENDER MARKUS
Format Patent
LanguageEnglish
Korean
Published 07.12.2016
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Summary:A reflection type photo-mask comprises a substrate (100) including a substrate layer (115) of a low-thermal expansion material. The substrate layer (115) includes a main body portion (112) with a first structural configuration and an auxiliary portion (111) with a second structural configuration, the main body portion (112) and the auxiliary portion (111) being formed of a low-thermal expansion material. The auxiliary portion (111) is formed in a frame part (220) surrounding a pattern part (211) of the substrate (110). A multi-layered mirror (125) is formed on a first surface of the substrate (110). The reflective ratio of the multi-layered mirror (125) is at least 50% in the exposure wavelength of 15 nm or less. A trench (310) extending through the multi-layered mirror (125) exposes the substrate (110) at the frame part (220). The auxiliary portion (111) may comprise a scattering center for out-of-band emission. 반사형 포토마스크는 저 열팽창 물질의 기판 층(115)을 구비하는 기판(110)을 포함한다. 기판 층(115)은 저 열팽창 물질의, 제1 구조적 구성의 본체 부위(112)와 제2 구조적 구성의 보조 부위(111)를 포함한다. 보조 부위(111)는 기판(110)의 패턴부(211)를 둘러싸는 프레임부(220) 내에 형성된다. 다층 거울(125)은 기판(110)의 제1 표면상에 형성된다. 다층 거울(125)의 반사율은 15nm 이하의 노광 파장에서 적어도 50%이다. 다층 거울(125)을 관통하여 연장하는 프레임 트렌치(310)는 프레임부(220)에서 기판(110)을 노출시킨다. 보조 부위(111)는 대역 외 방사를 위하여 산란 중심을 포함할 수 있다.
Bibliography:Application Number: KR20160065936