PLASMA ETCHING APPARATUS

• Main Authors: MILAN SIRY, WATANABE YOSHIO, SEKI TAKESHI, TAKAHASHI HIROYUKI
• Format: Patent
• Language: English; Korean
• Published: 30.11.2016
• Subjects: BASIC ELECTRIC ELEMENTS; ELECTRIC SOLID STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR; ELECTRIC TECHNIQUES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR; ELECTRICITY; PLASMA TECHNIQUE; PRODUCTION OF ACCELERATED ELECTRICALLY-CHARGED PARTICLES OR OFNEUTRONS; PRODUCTION OR ACCELERATION OF NEUTRAL MOLECULAR OR ATOMICBEAMS; SEMICONDUCTOR DEVICES

The present invention relates to a plasma etching apparatus capable of selectively processing a part of a workpiece. The plasma etching apparatus (2) of the present invention comprises: a vacuum chamber (4); a rotatable electrostatic chuck table (34) which supports a workpiece (11) in the vacuum chamber; a nozzle (50) which supplies a plasma etching gas (C) to a part of the workpiece supported on the electrostatic chuck table; a nozzle shaking unit (86) which shakes a nozzle to make a horizontal arc-shaped trajectory (B) between an area corresponding to a center (A) of the electrostatic chuck table and an area corresponding to an outer circumference of the electrostatic chuck table; and a control unit (48, 88) which controls an amount of rotation of the electrostatic chuck table and the position of the nozzle, and locates the nozzle in an area corresponding to a part of the workpiece supported on the electrostatic chuck table. (과제) 피가공물의 일부를 선택적으로 가공할 수 있는 플라즈마 에칭 장치를 제공한다. (해결 수단) 플라즈마 에칭 장치 (2) 로서, 진공 챔버 (4) 와, 진공 챔버 내에서 피가공물 (11) 을 유지하는 회전할 수 있는 정전 척 테이블 (34) 과, 정전 척 테이블에 유지된 피가공물의 일부에 플라즈마 에칭 가스 (C) 를 공급하는 노즐 (50) 과, 정전 척 테이블의 중심 (A) 에 대응하는 영역과 외주에 대응하는 영역 사이에서, 수평한 원호상의 궤적 (B) 을 그리도록 노즐을 요동시키는 노즐 요동 수단 (86) 과, 정전 척 테이블의 회전량과 노즐의 위치를 각각 제어하고, 정전 척 테이블에 유지된 피가공물의 임의의 일부에 대응하는 영역에 노즐을 위치시키는 제어 수단 (48, 88) 을 포함한다.