THIN FILM TRANSISTOR ARRAY PANEL AND METHOD OF MANUFACTURING THE SAME

• Main Authors: CHO, SEUNG KYENG, KIM, JANG SOO, SEO, KI SEONG, CHOI, JUNE WHAN, LEE, JEONG YOUNG, JEON, JUN HYUCK, PARK, JAE WOO, LEE, SOO WOONG
• Format: Patent
• Language: English; Korean
• Published: 09.11.2016
• Subjects: BASIC ELECTRIC ELEMENTS; DEVICES OR ARRANGEMENTS, THE OPTICAL OPERATION OF WHICH ISMODIFIED BY CHANGING THE OPTICAL PROPERTIES OF THE MEDIUM OF THEDEVICES OR ARRANGEMENTS FOR THE CONTROL OF THE INTENSITY,COLOUR, PHASE, POLARISATION OR DIRECTION OF LIGHT, e.g.SWITCHING, GATING, MODULATING OR DEMODULATING; ELECTRIC SOLID STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR; ELECTRICITY; FREQUENCY-CHANGING; NON-LINEAR OPTICS; OPTICAL ANALOGUE/DIGITAL CONVERTERS; OPTICAL LOGIC ELEMENTS; OPTICS; PHYSICS; SEMICONDUCTOR DEVICES; TECHNIQUES OR PROCEDURES FOR THE OPERATION THEREOF

The present invention relates to a thin film transistor displaying plate and a method for manufacturing the same. The thin film transistor displaying plate comprises: a substrate; a gate electrode which is positioned on the substrate; a semiconductor layer which is positioned on the substrate; a gate insulating film which is positioned between the gate electrode and the semiconductor layer, and includes a first oxide insulating film touched to the semiconductor layer; a source electrode positioned on the semiconductor layer and a drain electrode faced to the source electrode; and a protective film which covers the source electrode and the drain electrode, and includes a second oxide insulating film touched to the source electrode and the drain electrode. At least one thickness direction hydrogen content distribution of the first oxide insulating film and the second oxide insulating film is formed discontinuously. 본 기재의 박막 트랜지스터 표시판은, 기판, 상기 기판 위에 위치하는 게이트 전극; 상기 기판 위에 위치하는 반도체층, 상기 게이트 전극과 상기 반도체층 사이에 위치하고, 상기 반도체층과 접촉되는 제1 산화 절연막을 포함하는 게이트 절연막, 상기 반도체층 위에 위치하는 소스 전극 및 상기 소스 전극과 마주보는 드레인 전극, 상기 소스 전극 및 상기 드레인 전극을 덮으며, 상기 소스 전극 및 상기 드레인 전극과 접촉되는 제2 산화 절연막을 포함하는 보호막을 포함하고, 상기 제1 산화 절연막 및 상기 제2 산화 절연막 중 적어도 하나의 두께 방향 수소 함유량 분포는 불연속적으로 형성된다.