METHOD FOR PRODUCING PURE OCTACHLOROTRISILANE AND DECACHLOROTETRASILANES
본 발명은 3원 및/또는 4원 규소 화합물 또는 3원 및/또는 4원 게르마늄 화합물을 제조하기 위한 방법에 관한 것이다. 규소 화합물의 혼합물 및/또는 게르마늄 화합물의 혼합물을 비열 플라즈마에 노출시키고 생성된 상을 1번 이상 진공 정류 및 여과시킨다. The invention relates to a process for producing trimeric and/or quaternary silicon compounds or trimeric and/or quaternary germanium compounds, where a mixt...
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Format | Patent |
Language | English Korean |
Published |
08.11.2016
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Summary: | 본 발명은 3원 및/또는 4원 규소 화합물 또는 3원 및/또는 4원 게르마늄 화합물을 제조하기 위한 방법에 관한 것이다. 규소 화합물의 혼합물 및/또는 게르마늄 화합물의 혼합물을 비열 플라즈마에 노출시키고 생성된 상을 1번 이상 진공 정류 및 여과시킨다.
The invention relates to a process for producing trimeric and/or quaternary silicon compounds or trimeric and/or quaternary germanium compounds, where a mixture of silicon compounds or a mixture of germanium compounds is exposed to a nonthermal plasma, and the resulting phase is subjected at least once to a vacuum rectification and filtration. |
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Bibliography: | Application Number: KR20167024012 |