OPTIMIZATION OF TARGET ARRANGEMENT AND ASSOCIATED TARGET

타겟 배열을 계획하는 방법 및 연계된 타겟 및 레티클이 개시된다. 타겟은 복수의 격자들을 포함하고, 각각의 타겟은 복수의 서브구조체들을 포함한다. 상기 방법은 타겟 영역을 정의하는 단계; 격자들을 형성하기 위해 타겟 영역 내에 서브구조체들을 위치시키는 단계; 및 격자들의 둘레에 어시스트 피처들을 위치시키는 단계를 포함하고, 어시스트 피처들은 격자들의 둘레에서 측정된 세기 피크들을 감소시키도록 구성된다. 상기 방법은 메트롤로지 공정을 이용하여 타겟의 검사에 의해 얻어지는 결과적인 이미지를 모델링하는 단계; 및 타겟 배열이 메트롤로지...

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Main Authors SMILDE HENDRIK JAN HIDDE, VAN BUEL HENRICUS WILHELMUS MARIA, VAN HAREN RICHARD JOHANNES FRANCISCUS, LIU XING LAN, BELTMAN JOHANNES MARCUS MARIA
Format Patent
LanguageEnglish
Korean
Published 28.10.2016
Subjects
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Summary:타겟 배열을 계획하는 방법 및 연계된 타겟 및 레티클이 개시된다. 타겟은 복수의 격자들을 포함하고, 각각의 타겟은 복수의 서브구조체들을 포함한다. 상기 방법은 타겟 영역을 정의하는 단계; 격자들을 형성하기 위해 타겟 영역 내에 서브구조체들을 위치시키는 단계; 및 격자들의 둘레에 어시스트 피처들을 위치시키는 단계를 포함하고, 어시스트 피처들은 격자들의 둘레에서 측정된 세기 피크들을 감소시키도록 구성된다. 상기 방법은 메트롤로지 공정을 이용하여 타겟의 검사에 의해 얻어지는 결과적인 이미지를 모델링하는 단계; 및 타겟 배열이 메트롤로지 공정을 이용하는 검출에 대해 최적화되는지를 평가하는 단계를 포함한다. A method of devising a target arrangement, and associated target and reticle. The target includes a plurality of gratings, each grating having a plurality of substructures. The method includes: defining a target area; locating the substructures within the target area so as to form the gratings; and locating assist features at the periphery of the gratings, the assist features being configured to reduce measured intensity peaks at the periphery of the gratings. The method may include an optimization process including modelling a resultant image obtained by inspection of the target using a metrology process; and evaluating whether the target arrangement is optimized for detection using a metrology process.
Bibliography:Application Number: KR20167025790