CVD METAL-FREE CVD COATING OF GRAPHENE ON GLASS AND OTHER DIELECTRIC SUBSTRATES

그래핀을 형성하기 위한 촉매-부재 CVD 방법. 상기 방법은, 반응 챔버 내에 기판을 놓는 단계, 상기 기판을 600℃ 내지 1100℃의 온도로 가열하는 단계, 및 상기 챔버로 탄소 전구체를 도입하는 단계 및 상기 기판의 표면상에 그래핀 층을 형성시키는 단계를 포함한다. 상기 방법은 금속 촉매 또는 플라즈마를 사용하지 않고 그래핀을 형성한다. A catalyst-free CVD method for forming graphene. The method involves placing a substrate within a reaction...

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Main Authors SONG ZHEN, MANLEY ROBERT GEORGE, MORENA ROBERT MICHAEL, LIU XINYUAN
Format Patent
LanguageEnglish
Korean
Published 28.10.2016
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Summary:그래핀을 형성하기 위한 촉매-부재 CVD 방법. 상기 방법은, 반응 챔버 내에 기판을 놓는 단계, 상기 기판을 600℃ 내지 1100℃의 온도로 가열하는 단계, 및 상기 챔버로 탄소 전구체를 도입하는 단계 및 상기 기판의 표면상에 그래핀 층을 형성시키는 단계를 포함한다. 상기 방법은 금속 촉매 또는 플라즈마를 사용하지 않고 그래핀을 형성한다. A catalyst-free CVD method for forming graphene. The method involves placing a substrate within a reaction chamber, heating the substrate to a temperature between 600° C. and 1100° C., and introducing a carbon precursor into the chamber to form a graphene layer on a surface of the substrate. The method does not use plasma or a metal catalyst to form the graphene.
Bibliography:Application Number: KR20167025662