CONDUCTIVE TRACES IN SEMICONDUCTOR DEVICES AND METHODS OF FORMING SAME
According to an embodiment, a device package comprises: a semiconductor device die with a passivation layer on an upper surface; a first conductive line on the passivation layer and electrically connected to the semiconductor device die; and a second conductive line on the passivation layer and elec...
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Format | Patent |
Language | English Korean |
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26.10.2016
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Summary: | According to an embodiment, a device package comprises: a semiconductor device die with a passivation layer on an upper surface; a first conductive line on the passivation layer and electrically connected to the semiconductor device die; and a second conductive line on the passivation layer and electrically connected to the semiconductor device die. The first conductive line is thicker than the second conductive line, and the first conductive line and the second conductive line are formed in the same device package layer.
일 실시형태의 디바이스 패키지는, 상면에 패시베이션 층을 구비하는 반도체 디바이스 다이와, 상기 패시베이션 층 위에 있고 상기 반도체 디바이스 다이에 전기적으로 접속되어 있는 제1 도전성 라인, 그리고 상기 패시베이션 층 위에 있고 상기 반도체 디바이스 다이에 전기적으로 접속되어 있는 제2 도전성 라인을 포함한다. 제1 도전성 라인은 제2 도전성 라인보다 두껍고, 제1 도전성 라인과 제2 도전성 라인은 동일한 디바이스 패키지 층 내에 형성된다. |
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Bibliography: | Application Number: KR20150168016 |