SEMICONDUCTOR DEVICES AND METHODS OF MANUFACTURING THE SAME

• Main Authors: CHOI, HWAN WOOK, LEE, TAE JONG, LEE, JAE HWAN, HA, SEUNG MO, LEE, JUNG HAN, KIM, SANG SU
• Format: Patent
• Language: English; Korean
• Published: 24.10.2016
• Subjects: BASIC ELECTRIC ELEMENTS; ELECTRIC SOLID STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR; ELECTRICITY; SEMICONDUCTOR DEVICES

The purpose of the present invention is to provide a semiconductor device having excellent characteristics. The semiconductor device includes: a plurality of active fins which are defined by a device isolation film formed on a substrate, and each of which extends in a first direction; a gate structure which extends in a second direction crossing the first direction and is disposed on the active fins and the device isolation film; and a gate spacer structure for covering a side wall of the gate structure. A side wall of a first portion of the gate structure formed on the device isolation film includes: a first region having a first slope with respect to the top surface of the substrate; a second region having a second slope which gradually increases from a value less than the first slope as the height increases from the top surface of the substrate; and a third region having a third slope greater than the second slope. 반도체 장치는 기판 상에 형성된 소자 분리막에 의해 정의되며 각각 제1 방향으로 연장된 복수 개의 액티브 핀들(active fins), 액티브 핀들 및 소자 분리막 상에 제1 방향과 교차하는 제2 방향으로 연장된 게이트 구조물, 및 게이트 구조물의 측벽을 커버하는 게이트 스페이서 구조물을 포함한다. 소자 분리막 상에 형성된 게이트 구조물의 제1 부분의 측벽은 기판의 상면에 대해 제1 기울기를 갖는 제1 영역, 기판 상면으로부터 높이가 증가함에 따라 제1 기울기보다 작은 값으로부터 점차 증가하는 제2 기울기를 갖는 제2 영역, 및 제2 기울기보다 큰 제3 기울기를 갖는다.