METHOD FOR PRODUCING POLYCRYSTALLINE SILICON

• Main Authors: POPP FRIEDRICH, HERTLEIN HARALD
• Format: Patent
• Language: English; Korean
• Published: 10.10.2016
• Subjects: CHEMISTRY; COMPOUNDS THEREOF; INORGANIC CHEMISTRY; METALLURGY; NON-METALLIC ELEMENTS

본 발명은 다결정 실리콘의 제조 방법에 관한 것이다. 수소 및 실리콘 함유 성분을 함유하는 반응 가스는 실리콘으로 이루어진 1 이상의 지지체를 포함하는 반응기 내에 도입되고, 상기 지지체가 전류의 직접 통과에 의해 가열된다. 실리콘 함유 성분이 분해되고, 다결정 실리콘이 1 이상의 지지체 상에 증착된다. 본 발명은, 실리콘으로 이루어진 1 이상의 지지체가 산화물 층을 갖고, 산화물 층이 1 이상의 지지체 상의 다결정 실리콘의 증착 개시 전에 제거되며, 1 이상의 지지체가 1100℃ ∼ 1200℃의 온도까지 가열되고, 0.1 ∼ 5 bar의 압력에서 수소를 함유하는 분위기에 노출되고, 이때 수소를 함유하는 플러싱 가스가 반응기에 도입되는 것을 특징으로 한다. The native oxide layer on silicon support rods in the Siemens polysilicon production process is removed by heating the rods to a temperature of 1100-1200° C. and contacting the rods with hydrogen at a system pressure of 1.1E5 to 6E6 Pa. Oxide is rapidly removed, reducing overall process time and increasing space time yield. The use of hydrogen, optionally purified from a polysilicon deposition and containing only traces of HCl reduces reactor corrosion and loss of silicon from the support rods.