METHOD FOR PREPARING HALFTONE PHASE SHIFT PHOTOMASK BLANK

• Main Author: KOSAKA TAKURO
• Format: Patent
• Language: English; Korean
• Published: 10.10.2016
• Subjects: APPARATUS SPECIALLY ADAPTED THEREFOR; BASIC ELECTRIC ELEMENTS; CINEMATOGRAPHY; ELECTRIC SOLID STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR; ELECTRICITY; ELECTROGRAPHY; HOLOGRAPHY; MATERIALS THEREFOR; ORIGINALS THEREFOR; PHOTOGRAPHY; PHOTOMECHANICAL PRODUCTION OF TEXTURED OR PATTERNED SURFACES,e.g. FOR PRINTING, FOR PROCESSING OF SEMICONDUCTORDEVICES; PHYSICS; SEMICONDUCTOR DEVICES

In a hysteresis curve formed by the flow rate of reactive gas and a target voltage value or a target current value measured by the sweeping of the flow rate of the reactive gas when power applied to a target is kept constant and the flow rate of the reactive gas introduced into a chamber is swept, a halftone phase shift film containing silicon and either or both of nitrogen and oxygen is formed via reactive sputtering by setting a metal mode, a transition mode and a reaction mode, installing multiple targets inside the chamber and applying power to apply two or more kinds of sputtering modes. A halftone phase shift photomask blank including the halftone phase shift film having a predetermined phase shift ensured and excellent in-plane uniformity can be provided as the in-plane uniformity of optical properties can be improved in the halftone phase shift film containing silicon and any one or both selected from nitrogen and oxygen and having excellent chemical resistance. 타겟에 인가하는 전력을 일정하게 하고, 챔버 내에 도입하는 반응성 가스 유량을 소인했을 때, 반응성 가스 유량과, 반응성 가스 유량의 소인에 의해 측정되는 타겟 전압값 또는 타겟 전류값에 의해 형성되는 히스테리시스 곡선에 있어서, 메탈 모드, 전이 모드 및 반응 모드를 설정하고, 챔버 내에 복수의 타겟을 설치하고, 2종 이상의 스퍼터링 모드가 적용되도록 전력을 인가하여, 반응성 스퍼터링에 의해, 규소와, 질소 및 산소 중 한쪽 또는 양쪽을 함유하는 하프톤 위상 시프트막을 형성한다. 내약품성이 우수한, 규소와, 질소 및 산소로부터 선택되는 한쪽 또는 양쪽을 함유하는 하프톤 위상 시프트막에 있어서, 광학 특성의 면내 균일성을 개선할 수 있어, 소정의 위상차를 확보한 데다가, 면내 균일성이 양호한 하프톤 위상 시프트막을 갖는 하프톤 위상 시프트형 포토마스크 블랭크를 제공할 수 있다.