LIGHT EMITTING DIODE WITH HIGH EFFICIENCY

• Main Authors: JANG, SAM SEOK, KWAK, WOO CHUL, KIM, KYUNG HAE, CHO, SUNG RYOUNG, JUNG, JUNG WHAN
• Format: Patent
• Language: English; Korean
• Published: 10.10.2016
• Subjects: BASIC ELECTRIC ELEMENTS; ELECTRIC SOLID STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR; ELECTRICITY; SEMICONDUCTOR DEVICES

According to one embodiment of the present invention, a light emitting diode (LED) comprises: an n-type nitride semiconductor layer; a carbon shock layer placed on the n-type nitride semiconductor layer; an active layer placed on the carbon shock layer; and a p-type nitride semiconductor layer placed on the active layer. A carbon concentration of the carbon shock layer is 1 x 10^16 to 1 x 10^20 atoms/cm^3 and the thickness of the carbon shock layer is 20 to 300 nm. When a forward voltage is applied, horizontal electron mobility of the carbon shock layer (110) is increased, so a current distribution effect is improved in an LED. When a reverse voltage is applied, the carbon shock layer (110) represents high resistance, so breakdown properties against electrostatic discharge are improved. 본 발명의 일 실시예에 따른 발광 다이오드는 n형 질화물 반도체층, 상기 n형 질화물 반도체층 상에 위치한 탄소쇼크층, 상기 탄소쇼크층 상에 위치한 활성층, 상기 활성층 상에 위치한 p형 질화물 반도체층을 포함하며, 상기 탄소쇼크층의 탄소 농도는 1×10atoms/cm내지 1×10atoms/cm이며, 상기 탄소쇼크층의 두께는 20nm 내지 300nm 일 수 있다. 탄소쇼크층(110)은 순방향 전압 인가 시에는 전자의 수평 방향 이동도가 증가하여 발광 다이오드 내 전류 분산 효과가 향상되며, 역전압 인가 시에는 높은 저항을 가지므로 ESD에 대한 내압 특성이 향상될 수 있다.