WAFER CUTTING METHOD

• Main Authors: SHIN, HEUNG HYUN, KIM, BO RAM
• Format: Patent
• Language: English; Korean
• Published: 29.09.2016
• Subjects: BASIC ELECTRIC ELEMENTS; ELECTRIC SOLID STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR; ELECTRICITY; SEMICONDUCTOR DEVICES

According to the present invention, a wafer cutting method includes: a process of irradiating a laser to an intended cutting location on a wafer to be cut; and a process of quenching the intended cutting location having the laser irradiated thereto by spraying a cooling gas thereto. Before irradiating the laser to the intended cutting location, a heating gas is sprayed to the location to have the laser irradiated thereto. According to an embodiment of the present invention, the heating gas is sprayed to an intended cutting line to heat the intended cutting line before irradiating the laser to the intended cutting line for improving the laser processability, thereby improving an absorption rate. When the laser is irradiated to and absorbed in the wafer, the cutting processability of the wafer is enhanced. Accordingly, the present invention enables the wafer to be cut easily with a lesser amount of energy compared to a wafer without pretreatment and minimizes the occurrences of cracks and chipping due to exposure to the high-intensity laser. 본 발명에 따른 웨이퍼의 절단 방법은 절단하고자 하는 웨이퍼의 절단 예정 위치에 레이저를 조사하는 과정, 레이저가 조사된 절단 예정 위치에 쿨링 가스를 분사하여 퀜칭(quenching) 시키는 과정을 포함하고, 절단 예정 위치에 레이저를 조사하기 전에, 상기 레이저가 조사될 위치에 가열된 히팅 가스를 분사한다. 따라서, 본 발명에 따른 실시형태에 의하면, 절단 예정 라인에 레이저를 조사하기 전에, 레이저에 의한 가공성을 높이기 위해, 절단 예정 라인에 히팅 가스를 분사하여 가열함으로써, 흡수율을 향상시킨다. 이에, 레이저가 웨이퍼에 조사되어 흡수될 때, 그 웨이퍼의 절단 가공력이 향상된다. 따라서, 사전 처리를 하지 않았을 때에 비해 작은 에너지로도 웨이퍼의 절단이 용이해지며, 또한 높은 세기의 레이저로 인한 칩핑(chipping) 또는 크랙(crack) 발생을 최소화할 수 있는 효과가 있다.