THIN FILM TRANSISTOR SUBSTRATE AND METHOD OF MANUFACTURING THE SAME

• Main Authors: KIM, YUN HOE, KIM, JAE HO, LEE, KYU BUM, KIM, YOO SEONG, MOON, JIN WOOK
• Format: Patent
• Language: English; Korean
• Published: 21.09.2016
• Subjects: BASIC ELECTRIC ELEMENTS; ELECTRIC SOLID STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR; ELECTRICITY; SEMICONDUCTOR DEVICES

According to an embodiment of the present invention, provided are a thin film transistor substrate which increases mobility of an electron, reduces a leakage current, and decreases a threshold voltage by reducing an ion trap on an interface between a gate insulating layer and an active layer, and a manufacturing method thereof. The thin film transistor substrate comprises: a substrate; the gate insulating layer provided on the substrate; the active layer provided on the gate insulating layer; and a first buffer layer provided between the gate insulating layer and the active layer. The active layer includes: a first doping layer in contact with the first buffer layer; and an oxide semiconductor layer provided on the first doping layer. 본 발명의 일 실시예에 따르면, 기판; 상기 기판 상에 구비된 게이트 절연막; 상기 게이트 절연막 상에 구비된 액티브층; 및 상기 게이트 절연막과 상기 액티브층 사이에 구비된 제1 버퍼층을 포함하여 이루어지고, 상기 액티브층은 상기 제1 버퍼층과 접하는 제1 도핑층 및 상기 제1 도핑층 상에 구비된 산화물 반도체층을 포함하여 이루어진 박막 트랜지스터 기판 및 그 제조방법을 제공한다.