MITIGATING READ DISTURB IN A CROSS-POINT MEMORY

본 개시내용은 크로스-포인트 메모리에서의 판독 방해를 완화시키는 것에 관한 것이다. 장치는 메모리 액세스 동작을 위한 타겟 메모리 셀을 선택하도록 구성된 메모리 제어기를 포함할 수 있다. 메모리 제어기는 감지 구간 동안 스냅 백 이벤트가 발생하는지를 결정하도록 구성된 감지 모듈; 및 스냅 백 이벤트가 검출되는 경우에 메모리 셀에 논리 1을 후기록하도록 구성된 후기록 모듈을 포함한다. The present disclosure relates to mitigating read disturb in a cross-point memory. A...

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Main Authors DAMLE PRASHANT S, PANGAL KIRAN, FRANKLIN NATHAN R, CHAOHONG HU, CHU DANIEL J
Format Patent
LanguageEnglish
Korean
Published 12.09.2016
Subjects
INFORMATION STORAGE
PHYSICS
STATIC STORES
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Summary:본 개시내용은 크로스-포인트 메모리에서의 판독 방해를 완화시키는 것에 관한 것이다. 장치는 메모리 액세스 동작을 위한 타겟 메모리 셀을 선택하도록 구성된 메모리 제어기를 포함할 수 있다. 메모리 제어기는 감지 구간 동안 스냅 백 이벤트가 발생하는지를 결정하도록 구성된 감지 모듈; 및 스냅 백 이벤트가 검출되는 경우에 메모리 셀에 논리 1을 후기록하도록 구성된 후기록 모듈을 포함한다. The present disclosure relates to mitigating read disturb in a cross-point memory. An apparatus may include a memory controller configured to select a target memory cell for a memory access operation. The memory controller includes a sense module configured to determine whether a snap back event occurs during a sensing interval; and a write back module configured to write back a logic one to the memory cell if a snap back event is detected.
Bibliography:Application Number: KR20167021642