METHOD FOR ACHIEVING ULTRA-HIGH SELECTIVITY WHILE ETCHING SILICON NITRIDE

• Main Authors: PARK, JOON HONG, ANGELOV IVELIN A, ZHU HELEN H, PARK, PIL YEON, YAQOOB FAISAL, MARQUEZ LINDA, BERRY III IVAN L
• Format: Patent
• Language: English; Korean
• Published: 31.08.2016
• Subjects: BASIC ELECTRIC ELEMENTS; ELECTRIC DISCHARGE TUBES OR DISCHARGE LAMPS; ELECTRIC SOLID STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR; ELECTRIC TECHNIQUES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR; ELECTRICITY; PLASMA TECHNIQUE; PRODUCTION OF ACCELERATED ELECTRICALLY-CHARGED PARTICLES OR OFNEUTRONS; PRODUCTION OR ACCELERATION OF NEUTRAL MOLECULAR OR ATOMICBEAMS; SEMICONDUCTOR DEVICES

Provided are methods for selectively etching silicon nitride on a semiconductor substrate by providing silicon to a plasma to achieve high etch selectivity of silicon nitride to silicon-containing materials. The methods include a step of providing silicon from a solid or fluidic silicon source or both. The solid silicon source may be in upstream of a substrate or in a remote plasma generator, such as at or near a showerhead of a process chamber. A silicon gas source may flow to the plasma during etching. 실리콘-함유 재료들에 대한 실리콘 나이트라이드의 고 에칭 선택도를 달성하도록 플라즈마에 실리콘을 제공함으로써 반도체 기판 상의 실리콘 나이트라이드를 선택적으로 에칭하는 방법들이 제공된다. 방법들은 고체 실리콘 소스 또는 유체 실리콘 소스로부터 또는 양자로부터 실리콘을 제공하는 단계를 수반한다. 고체 실리콘 소스는 프로세스 챔버의 샤워헤드에 또는 샤워헤드 근방에와 같이, 기판의 업스트림, 또는 리모트 플라즈마 생성기 내에 있을 수도 있다. 실리콘 가스 소스는 에칭 동안 플라즈마로 흐를 수도 있다.