IN SITU CONTROL OF ION ANGULAR DISTRIBUTION IN A PROCESSING APPARATUS
프로세싱 장치는, 플라즈마 챔버 내에서 플라즈마를 생성하기 위하여 플라즈마 챔버에 결합된 플라즈마 소스, 플라즈마 챔버의 일 측을 따라 배치된 개구를 갖는 추출 플레이트; 개구에 인접하여 배치되며, 플라즈마가 플라즈마 챔버 내에 존재할 때 플라즈마 메니스커스들의 쌍을 획정하도록 구성된 편향 전극; 및 플라즈마에 대하여 편향 전극에 바이어스 전압을 인가하기 위한 편향 전극 전원 공급장치로서, 편향 전극에 인가되는 제 1 바이어스 전압은 플라즈마로부터 개구를 통해 추출되는 이온들에 대한 입사의 제 1 각도를 생성하도록 구성되며, 편향...
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Format | Patent |
Language | English Korean |
Published |
26.08.2016
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Abstract | 프로세싱 장치는, 플라즈마 챔버 내에서 플라즈마를 생성하기 위하여 플라즈마 챔버에 결합된 플라즈마 소스, 플라즈마 챔버의 일 측을 따라 배치된 개구를 갖는 추출 플레이트; 개구에 인접하여 배치되며, 플라즈마가 플라즈마 챔버 내에 존재할 때 플라즈마 메니스커스들의 쌍을 획정하도록 구성된 편향 전극; 및 플라즈마에 대하여 편향 전극에 바이어스 전압을 인가하기 위한 편향 전극 전원 공급장치로서, 편향 전극에 인가되는 제 1 바이어스 전압은 플라즈마로부터 개구를 통해 추출되는 이온들에 대한 입사의 제 1 각도를 생성하도록 구성되며, 편향 전극에 인가되는 제 2 바이어스 전압은 플라즈마로부터 개구를 통해 추출되는 이온들에 대한 입사의 제 2 각도를 생성하도록 구성되고, 입사의 제 2 각도는 입사의 제 1 각도와 상이한, 상기 편향 전극 전원 공급장치를 포함할 수 있다.
A processing apparatus may include a plasma source coupled to a plasma chamber to generate a plasma in the plasma chamber, an extraction plate having an aperture disposed along a side of the plasma chamber; a deflection electrode disposed proximate the aperture and configured to define a pair of plasma menisci when the plasma is present in the plasma chamber; and a deflection electrode power supply to apply a bias voltage to the deflection electrode with respect to the plasma, wherein a first bias voltage applied to the deflection electrode is configured to generate a first angle of incidence for ions extracted through the aperture from the plasma, and a second bias voltage applied to the deflection electrode is configured to generate a second angle of incidence of ions extracted through the aperture from the plasma, the second angle of incidence being different from the first angle of incidence. |
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AbstractList | 프로세싱 장치는, 플라즈마 챔버 내에서 플라즈마를 생성하기 위하여 플라즈마 챔버에 결합된 플라즈마 소스, 플라즈마 챔버의 일 측을 따라 배치된 개구를 갖는 추출 플레이트; 개구에 인접하여 배치되며, 플라즈마가 플라즈마 챔버 내에 존재할 때 플라즈마 메니스커스들의 쌍을 획정하도록 구성된 편향 전극; 및 플라즈마에 대하여 편향 전극에 바이어스 전압을 인가하기 위한 편향 전극 전원 공급장치로서, 편향 전극에 인가되는 제 1 바이어스 전압은 플라즈마로부터 개구를 통해 추출되는 이온들에 대한 입사의 제 1 각도를 생성하도록 구성되며, 편향 전극에 인가되는 제 2 바이어스 전압은 플라즈마로부터 개구를 통해 추출되는 이온들에 대한 입사의 제 2 각도를 생성하도록 구성되고, 입사의 제 2 각도는 입사의 제 1 각도와 상이한, 상기 편향 전극 전원 공급장치를 포함할 수 있다.
A processing apparatus may include a plasma source coupled to a plasma chamber to generate a plasma in the plasma chamber, an extraction plate having an aperture disposed along a side of the plasma chamber; a deflection electrode disposed proximate the aperture and configured to define a pair of plasma menisci when the plasma is present in the plasma chamber; and a deflection electrode power supply to apply a bias voltage to the deflection electrode with respect to the plasma, wherein a first bias voltage applied to the deflection electrode is configured to generate a first angle of incidence for ions extracted through the aperture from the plasma, and a second bias voltage applied to the deflection electrode is configured to generate a second angle of incidence of ions extracted through the aperture from the plasma, the second angle of incidence being different from the first angle of incidence. |
Author | GODET LUDOVIC RENAU ANTHONY MUNOZ NINI BILOIU COSTEL |
Author_xml | – fullname: MUNOZ NINI – fullname: BILOIU COSTEL – fullname: GODET LUDOVIC – fullname: RENAU ANTHONY |
BookMark | eNqNyk0KwjAQQOEsdOHfHQZcC2kr7seY1sGSlMlkXYrElaSFen9U8ACuHjy-tVrkMaeVsuQgkEQw3gn7FnwN5B2ga2KLDBcKwnSO8p0fi9CxNzYEcg1g1yGjxLBVy8fwnNPu143a11bM9ZCmsU_zNNxTTq_-xqUuTrrQpa6OWP2n3lFrLpQ |
ContentType | Patent |
DBID | EVB |
DatabaseName | esp@cenet |
DatabaseTitleList | |
Database_xml | – sequence: 1 dbid: EVB name: esp@cenet url: http://worldwide.espacenet.com/singleLineSearch?locale=en_EP sourceTypes: Open Access Repository |
DeliveryMethod | fulltext_linktorsrc |
Discipline | Medicine Chemistry Sciences |
DocumentTitleAlternate | 프로세싱 장치에서의 이온 각도 분포의 인 시튜 제어 |
ExternalDocumentID | KR20160102034A |
GroupedDBID | EVB |
ID | FETCH-epo_espacenet_KR20160102034A3 |
IEDL.DBID | EVB |
IngestDate | Fri Jul 19 15:43:58 EDT 2024 |
IsOpenAccess | true |
IsPeerReviewed | false |
IsScholarly | false |
Language | English Korean |
LinkModel | DirectLink |
MergedId | FETCHMERGED-epo_espacenet_KR20160102034A3 |
Notes | Application Number: KR20167019833 |
OpenAccessLink | https://worldwide.espacenet.com/publicationDetails/biblio?FT=D&date=20160826&DB=EPODOC&CC=KR&NR=20160102034A |
ParticipantIDs | epo_espacenet_KR20160102034A |
PublicationCentury | 2000 |
PublicationDate | 20160826 |
PublicationDateYYYYMMDD | 2016-08-26 |
PublicationDate_xml | – month: 08 year: 2016 text: 20160826 day: 26 |
PublicationDecade | 2010 |
PublicationYear | 2016 |
RelatedCompanies | VARIAN SEMICONDUCTOR EQUIPMENT ASSOCIATES, INC |
RelatedCompanies_xml | – name: VARIAN SEMICONDUCTOR EQUIPMENT ASSOCIATES, INC |
Score | 3.0301657 |
Snippet | 프로세싱 장치는, 플라즈마 챔버 내에서 플라즈마를 생성하기 위하여 플라즈마 챔버에 결합된 플라즈마 소스, 플라즈마 챔버의 일 측을 따라 배치된 개구를 갖는 추출 플레이트; 개구에 인접하여 배치되며, 플라즈마가 플라즈마 챔버 내에 존재할 때 플라즈마 메니스커스들의 쌍을 획정하도록 구성된... |
SourceID | epo |
SourceType | Open Access Repository |
SubjectTerms | BASIC ELECTRIC ELEMENTS ELECTRIC DISCHARGE TUBES OR DISCHARGE LAMPS ELECTRICITY |
Title | IN SITU CONTROL OF ION ANGULAR DISTRIBUTION IN A PROCESSING APPARATUS |
URI | https://worldwide.espacenet.com/publicationDetails/biblio?FT=D&date=20160826&DB=EPODOC&locale=&CC=KR&NR=20160102034A |
hasFullText | 1 |
inHoldings | 1 |
isFullTextHit | |
isPrint | |
link | http://utb.summon.serialssolutions.com/2.0.0/link/0/eLvHCXMwfV3dT8IwEL8gGvVNUYOKpolmb4uwdWV7IKbsAyawLWUzvJF1jMRogMiM_77tBOWJt7bXXNom99G73q8AjzPLTAnO22omvH0V55rQg6Q9U7mlp1ZqGCkvQZJGAekn-GViTCrwsa2FKXFCv0twRCFRmZD3otTXq_8gllO-rVw_8TcxtHz24o6jbG7HLSIsGlGcbseNQie0FdvuDJgSsF9aS6bdMD2AQ-lIS6R997Ur61JWu0bFO4OjSPBbFOdQeV_W4MTe_r1Wg-PRJuUtmhvpW1-A6wdo7McJssMgZuEQhR4SqhDRoJcMKUOOP46Z301k1AmJuRRFLLSlvgx6iEYRZTROxpfw4Lmx3VfFeqZ_258O2O7i9SuoLpaLvA4om-nzzOJzE_MmnmuaaRpZ09JxmhGtyVPjGhr7ON3sJ9_CqezK-KlGGlAtPr_yO2GAC35fntsP6LGCeA |
link.rule.ids | 230,309,786,891,25594,76906 |
linkProvider | European Patent Office |
linkToHtml | http://utb.summon.serialssolutions.com/2.0.0/link/0/eLvHCXMwfV3dT8IwEL8gGvFNUeMHahPN3hZhH2V7IKZsDCajW0pnfCPbGInRAJEZ_33bCcoTb02vuVyb3Efver8CPExtK8FG3lYzEe2rRq4JO4jbUzW19cROTDNJS5CkEcWD2Hh-NV8r8LHphSlxQr9LcEShUZnQ96K018v_JJZbvq1cPaZvYmrx5PGOq6xvxy0sPBpW3G6nF4Vu6CiO0xkyhbJfWkuW3QyyB_ttic8rg6eXruxLWW47Fe8YDiLBb16cQOV9UYeas_l7rQ6Ho3XJWwzX2rc6hZ5P0djnMXJCylkYoNBDwhQiQvtxQBhy_TFnfjeWWSck1hIUsdCR9pL2EYkiwgiPx2dw7_W4M1CFPJO_7U-GbFt4_Ryq88U8vwCUTfVZZqczy0ibxkzTLMvMmrZuJBnWmmliXkJjF6er3eQ7qA34KJgEPh1ew5EkyVyqhhtQLT6_8hvhjIv0tjzDHysLhWU |
openUrl | ctx_ver=Z39.88-2004&ctx_enc=info%3Aofi%2Fenc%3AUTF-8&rfr_id=info%3Asid%2Fsummon.serialssolutions.com&rft_val_fmt=info%3Aofi%2Ffmt%3Akev%3Amtx%3Apatent&rft.title=IN+SITU+CONTROL+OF+ION+ANGULAR+DISTRIBUTION+IN+A+PROCESSING+APPARATUS&rft.inventor=MUNOZ+NINI&rft.inventor=BILOIU+COSTEL&rft.inventor=GODET+LUDOVIC&rft.inventor=RENAU+ANTHONY&rft.date=2016-08-26&rft.externalDBID=A&rft.externalDocID=KR20160102034A |