IN SITU CONTROL OF ION ANGULAR DISTRIBUTION IN A PROCESSING APPARATUS

• Main Authors: MUNOZ NINI, BILOIU COSTEL, GODET LUDOVIC, RENAU ANTHONY
• Format: Patent
• Language: English; Korean
• Published: 26.08.2016
• Subjects: BASIC ELECTRIC ELEMENTS; ELECTRIC DISCHARGE TUBES OR DISCHARGE LAMPS; ELECTRICITY

프로세싱 장치는, 플라즈마 챔버 내에서 플라즈마를 생성하기 위하여 플라즈마 챔버에 결합된 플라즈마 소스, 플라즈마 챔버의 일 측을 따라 배치된 개구를 갖는 추출 플레이트; 개구에 인접하여 배치되며, 플라즈마가 플라즈마 챔버 내에 존재할 때 플라즈마 메니스커스들의 쌍을 획정하도록 구성된 편향 전극; 및 플라즈마에 대하여 편향 전극에 바이어스 전압을 인가하기 위한 편향 전극 전원 공급장치로서, 편향 전극에 인가되는 제 1 바이어스 전압은 플라즈마로부터 개구를 통해 추출되는 이온들에 대한 입사의 제 1 각도를 생성하도록 구성되며, 편향 전극에 인가되는 제 2 바이어스 전압은 플라즈마로부터 개구를 통해 추출되는 이온들에 대한 입사의 제 2 각도를 생성하도록 구성되고, 입사의 제 2 각도는 입사의 제 1 각도와 상이한, 상기 편향 전극 전원 공급장치를 포함할 수 있다. A processing apparatus may include a plasma source coupled to a plasma chamber to generate a plasma in the plasma chamber, an extraction plate having an aperture disposed along a side of the plasma chamber; a deflection electrode disposed proximate the aperture and configured to define a pair of plasma menisci when the plasma is present in the plasma chamber; and a deflection electrode power supply to apply a bias voltage to the deflection electrode with respect to the plasma, wherein a first bias voltage applied to the deflection electrode is configured to generate a first angle of incidence for ions extracted through the aperture from the plasma, and a second bias voltage applied to the deflection electrode is configured to generate a second angle of incidence of ions extracted through the aperture from the plasma, the second angle of incidence being different from the first angle of incidence.