COMPLEMENTARY TUNNELING FET DEVICES AND METHOD FOR FORMING THE SAME

• Main Author: ALEKSOV ALEKSANDAR
• Format: Patent
• Language: English; Korean
• Published: 26.08.2016
• Subjects: BASIC ELECTRIC ELEMENTS; ELECTRIC SOLID STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR; ELECTRICITY; SEMICONDUCTOR DEVICES

산화물 및/또는 유기 반도체 물질을 이용하여 상보형 터널링 전계 효과 트랜지스터(TFET)들을 형성하는 디바이스가 기재되어 있다. TFET의 한가지 유형은 다음을 포함한다: 기판; 기판 위에 형성되어 주기율표의 III-V, IV-IV, 및 IV족으로 구성되는 그룹으로부터 선택된 p-형 물질을 갖는 도핑된 제1 영역; 기판 위에 형성되어 투명 산화물 n-형 반도체 물질을 갖는 도핑된 제2 영역; 및 도핑된 제1 및 제2 영역들에 결합된 게이트 스택. TFET의 또 다른 유형은 다음을 포함한다: 기판; 기판 위에 형성되어 p-형 유기 반도체 물질을 갖는 도핑된 제1 영역; 기판 위에 형성되어 n-형 산화물 반도체 물질을 갖는 도핑된 제2 영역; 및 도핑된 소스와 드레인 영역들에 결합된 게이트 스택. 또 다른 예에서, TFET는 활성 영역들을 위한 유기 반도체 물질들만을 이용하여 만들어진다. Described is an apparatus forming complementary tunneling field effect transistors (TFETs) using oxide and/or organic semiconductor material. One type of TFET comprises: a substrate; a doped first region, formed above the substrate, having p-type material selected from a group consisting of Group III-V, IV-IV, and IV of a periodic table; a doped second region, formed above the substrate, having transparent oxide n-type semiconductor material; and a gate stack coupled to the doped first and second regions. Another type of TFET comprises: a substrate; a doped first region, formed above the substrate, having p-type organic semiconductor material; a doped second region, formed above the substrate, having n-type oxide semiconductor material; and a gate stack coupled to the doped source and drain regions. In another example, TFET is made using organic only semiconductor materials for active regions.