STACKED GATE-ALL-AROUND FINFET AND METHOD FORMING THE SAME

• Main Authors: LEUNG YING KEUNG, CHING KUO CHENG, LIU CHI WEN
• Format: Patent
• Language: English; Korean
• Published: 22.08.2016
• Subjects: BASIC ELECTRIC ELEMENTS; ELECTRIC SOLID STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR; ELECTRICITY; SEMICONDUCTOR DEVICES

A device comprises: a first semiconductor strip; a first gate dielectric encircling the first semiconductor strip; a second semiconductor strip overlapping the first semiconductor strip; and a second gate dielectric encircling the second semiconductor strip. The first gate dielectric is in contact with the second gate dielectric. A gate electrode has a portion over the second semiconductor strip, and additional portions on opposite sides of the first and second gate dielectrics and the first and second semiconductor strips. Therefore, source / drain contact resistance can be reduced. 디바이스는 제1 반도체 스트립, 제1 반도체 스트립을 에워싸는 제1 게이트 유전체, 제1 반도체 스트립과 오버랩하는 제2 반도체 스트립, 및 제2 반도체 스트립을 에워싸는 제2 게이트 유전체를 포함한다. 제1 게이트 유전체는 제2 게이트 유전체와 접촉한다. 게이트 전극은 제2 반도체 스트립 위의 일부분과, 제1 및 제2 게이트 유전체들과 제1 및 2 반도체 스트립들의 대향 측면들 상의 추가적인 부분들을 갖는다.