SEMICONDUCTOR DEVICE AND METHOD FOR FABRICATING THE SAME

• Main Authors: PARK, YEON HO, KWON, WOOK HYUN, LEE, GI BONG, NAM, SEON AH, SON, NAK JIN, KIM, KYUNG SOO
• Format: Patent
• Language: English; Korean
• Published: 11.08.2016
• Subjects: BASIC ELECTRIC ELEMENTS; ELECTRIC SOLID STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR; ELECTRICITY; SEMICONDUCTOR DEVICES

A method for manufacturing a semiconductor device comprises: a step for forming a plurality of activation pins on a semiconductor substrate; a step for successively forming a first hard mask layer and a second hard mask layer on the plurality of activation pins, and forming a second hard mask pattern by etching the second hard mask layer; a step for trimming the second hard mask pattern; a step for forming a first photo resist pattern on the first hard mask layer, and forming a first hard mask pattern by etching the first hard mask layer, which is an etching mask, with the trimmed second hard mask pattern, and the first photo resist pattern; and a step for forming an activation pin pattern by etching the activation pins with the first hard mask pattern which is the etching mask. 본 발명의 기술적 사상에 의한 반도체 소자의 제조 방법은, 반도체 기판에 복수의 활성 핀들을 형성하는 단계와, 상기 복수의 활성 핀들 상에 제1 하드 마스크층 및 제2 하드 마스크층을 차례로 형성하고, 상기 제2 하드 마스크층을 식각하여 제2 하드 마스크 패턴을 형성하는 단계와, 상기 제2 하드마스크 패턴을 트리밍(trimming)하는 단계와, 상기 제1 하드 마스크층 상에 제1 포토 레지스트 패턴을 형성하고, 트리밍된 제2 하드 마스크 패턴 및 상기 제1 포토 레지스트 패턴을 함께 식각 마스크로 제1 하드 마스크층을 식각하여 제1 하드 마스크 패턴을 형성하는 단계와, 상기 제1 하드 마스크 패턴을 식각 마스크로 상기 복수의 활성 핀들을 식각하여 활성 핀 패턴을 형성하는 단계를 포함한다.