DIODE EMBEDDED SEMICONDUCTOR DEVICE

• Main Authors: PARK, BONG RYEOL, KIM, JAE HAN, CHA, HO YOUNG
• Format: Patent
• Language: English; Korean
• Published: 04.07.2016
• Subjects: BASIC ELECTRIC ELEMENTS; ELECTRIC SOLID STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR; ELECTRICITY; SEMICONDUCTOR DEVICES

The present invention relates to a semiconductor device and, more specifically, to a semiconductor device that conducts bidirectional switching operations. For the purpose, the semiconductor device according to the present invention comprises: a substrate; a buffer layer formed on top of the substrate; a barrier layer formed on top of the buffer layer; a gate insulation layer formed on top of the barrier layer; a source electrode and a drain electrode formed to penetrate the whole or part of the upper surface of the gate insulation layer and placed on top of the barrier layer; a gate electrode placed between the source electrode and the drain electrode and separated from the barrier layer by the gate insulation layer; and a Schottky electrode formed to penetrate the gate insulation layer and penetrate the whole or part of the upper part and the upper surface of the barrier layer, wherein the Schottky electrode and the source electrode are formed to face each other with respect to the drain electrode. 본 발명은 반도체 소자에 관한 것이고, 보다 상세하게 본 발명은 양방향 스위칭 동작을 하는 반도체 소자에 관한 것이다. 이를 위한 본 발명의 반도체 소자는 기판; 기판의 상부에 형성된 버퍼층; 버퍼층의 상부에 형성된 배리어층; 배리어층의 상부에 형성된 게이트 절연층; 게이트 절연층의 상면 중 일부 혹은 전체를 관통하여 형성되고, 배리어층의 상부에 위치되는 소스 전극과 드레인 전극; 소스 전극과 상기 드레인 전극의 사이에 위치하고, 게이트 절연층에 의해 배리어층과 이격된 게이트 전극; 및 게이트 절연층을 관통하여 배리어층의 상부, 상면 중 일부 또는 그 전체를 관통하여 형성되는 쇼트키 전극을 포함하고, 쇼트키 전극과 소스 전극은 드레인 전극을 기준으로 서로 대향되게 형성되는 것을 특징으로 한다.