METHOD AND APPARATUS FOR GROWING THIN OXIDE FILMS ON SILICON WHILE MINIMIZING IMPACT ON EXISTING STRUCTURES

• Main Authors: PEUSE BRUCE W, TIMANS PAUL JANIS, ROTERS GEORG, LERCH WILFRIED, XING GUANGCAI, SAVAS STEPHEN E, HU YAO ZHI, TAY SING PIN, NENYEI ZSOLT, SINHA ASHOK
• Format: Patent
• Language: English; Korean
• Published: 29.06.2016
• Subjects: BASIC ELECTRIC ELEMENTS; ELECTRIC SOLID STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR; ELECTRICITY; SEMICONDUCTOR DEVICES

플라즈마 보조 저온 라디칼 산화(plasma assited low temperature radical oxidation)가 설명된다. 산화는 산화되는 실리콘에 추가하여 존재할 수 있는 금속 또는 금속 산화물에 선택적이다. 선택성은 주로 O가스에 대한 H의 비인 공정 파라미터의 적합한 선택에 의해 달성된다. 공정 윈도우는 플라즈마로 HO 스팀을 주입함으로써 확대될 수 있으며, 이에 의해, TiN 및 W가 있는 경우에 상대적으로 낮은 온도에서 실리콘 산화를 가능하게 한다. 선택적 산화는 원격 플라즈마를 가지며 기판으로 라디칼을 흐르게...