METHOD AND APPARATUS FOR GROWING THIN OXIDE FILMS ON SILICON WHILE MINIMIZING IMPACT ON EXISTING STRUCTURES

• Main Authors: PEUSE BRUCE W, TIMANS PAUL JANIS, ROTERS GEORG, LERCH WILFRIED, XING GUANGCAI, SAVAS STEPHEN E, HU YAO ZHI, TAY SING PIN, NENYEI ZSOLT, SINHA ASHOK
• Format: Patent
• Language: English; Korean
• Published: 29.06.2016
• Subjects: BASIC ELECTRIC ELEMENTS; ELECTRIC SOLID STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR; ELECTRICITY; SEMICONDUCTOR DEVICES

플라즈마 보조 저온 라디칼 산화(plasma assited low temperature radical oxidation)가 설명된다. 산화는 산화되는 실리콘에 추가하여 존재할 수 있는 금속 또는 금속 산화물에 선택적이다. 선택성은 주로 O가스에 대한 H의 비인 공정 파라미터의 적합한 선택에 의해 달성된다. 공정 윈도우는 플라즈마로 HO 스팀을 주입함으로써 확대될 수 있으며, 이에 의해, TiN 및 W가 있는 경우에 상대적으로 낮은 온도에서 실리콘 산화를 가능하게 한다. 선택적 산화는 원격 플라즈마를 가지며 기판으로 라디칼을 흐르게 하지만 이온이 기판에 도달하는 것을 차단하는 장치의 사용에 의해 개선된다. Plasma assisted low temperature radical oxidation is described. The oxidation is selective to metals or metal oxides that may be present in addition to the silicon being oxidized. Selectivity is achieved by proper selection of process parameters, mainly the ratio of H2 to O2 gas. The process window may be enlarged by injecting H2O steam into the plasma, thereby enabling oxidation of silicon in the presence of TiN and W, at relatively low temperatures. Selective oxidation is improved by the use of an apparatus having remote plasma and flowing radicals onto the substrate, but blocking ions from reaching the substrate.