ERROR SCANNING IN FLASH MEMORY

다양한 실시예들은 스캐닝에 대한 조건이 충족되는 경우에 메모리 장치의 적어도 일부를 스캐닝하는 방법, 장치, 및 시스템을 포함한다. 조건은 판독 동작의 횟수, 기입 동작의 횟수, 시간, 등 중 하나 이상에 의존할 수 있다. 추가의 방법, 장치, 및 시스템을 포함하는 다른 실시예들이 개시된다. Various embodiments include methods, apparatus, and systems to scan at least a portion of a memory device for potential errors when a co...

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Main Authors FEELEY PETER S, NEMAZIE SIAMACK, RADKE WILLIAM H
Format Patent
LanguageEnglish
Korean
Published 08.06.2016
Subjects
CALCULATING
COMPUTING
COUNTING
ELECTRIC DIGITAL DATA PROCESSING
PHYSICS
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Summary:다양한 실시예들은 스캐닝에 대한 조건이 충족되는 경우에 메모리 장치의 적어도 일부를 스캐닝하는 방법, 장치, 및 시스템을 포함한다. 조건은 판독 동작의 횟수, 기입 동작의 횟수, 시간, 등 중 하나 이상에 의존할 수 있다. 추가의 방법, 장치, 및 시스템을 포함하는 다른 실시예들이 개시된다. Various embodiments include methods, apparatus, and systems to scan at least a portion of a memory device for potential errors when a condition for scanning is met. The condition may be dependent on one or more of a number of read operations, a number of write operations, time, and others. Other embodiments including additional methods, apparatus, and systems are disclosed.
Bibliography:Application Number: KR20167014244