ZENER DIODE

• Main Authors: IKEDA SATOSHI, KINPARA HIROMICHI, EGUCHI HIROOMI, OKAWA TAKASHI
• Format: Patent
• Language: English; Korean
• Published: 03.06.2016
• Subjects: BASIC ELECTRIC ELEMENTS; ELECTRIC SOLID STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR; ELECTRICITY; SEMICONDUCTOR DEVICES

제너 다이오드(10)는 반도체 기판(12), 애노드 전극(40), 캐소드 전극(42)을 포함한다. 반도체 기판(12)은 p형 애노드 영역(20), n형 전류 경로 영역(22) 및 드리프트 영역(24)을 포함한다. p형 애노드 영역(20)은 애노드 전극(40)에 접속된다. n형 전류 경로 영역(22)은 애노드 영역(20)과 접촉된다. 드리프트 영역(24)은 애노드 영역(20) 및 전류 경로 영역(22)과 접촉한다. 드리프트 영역(24)은 n형이다. 드리프트 영역(24)은 전류 경로 영역(22)보다 n형 불순물 농도가 낮다. 드리프트 영역(24)은 직접적으로 또는 또 다른 n형 영역(26)을 개재하여 캐소드 전극(42)에 접속된다. A Zener diode includes a semiconductor substrate, an anode electrode and a cathode electrode. The semiconductor substrate includes a p-type anode region, an n-type current path region and a drift region. The p-type anode region is connected to the anode electrode. The n-type current path region is in contact with the anode region. The drift region is in contact with the anode region and the current path region. The drift region is of an n type. The drift region has a lower n-type impurity concentration than the current path region. The drift region is connected to the cathode electrode directly or via another n-type region.