METHOD OF TREATING A POROUS DIELECTRIC LAYER AND METHOD OF FABRICATING SEMICONDUCTOR DEVICE USING THE SAME

• Main Authors: YIM, TAE JIN, KIM, BYUNG HEE, AHN SANGHOON, OSZINDA THOMAS, JUN, KEE YOUNG, LEE, NAE IN
• Format: Patent
• Language: English; Korean
• Published: 03.06.2016
• Subjects: BASIC ELECTRIC ELEMENTS; ELECTRIC SOLID STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR; ELECTRICITY; SEMICONDUCTOR DEVICES

Provided are a method to process a porous dielectric layer and a method to manufacture a semiconductor device using the same. The method to process the porous dielectric layer according to an embodiment of the present invention includes the steps of: preparing a substrate where the porous dielectric layer having an aperture is to be formed; forming a first sub sealing film sealing exposed pores by supplying a first precursor on the substrate, wherein the porous dielectric layer includes multiple pores exposed by the aperture; and forming a second sub sealing film covering the first sub sealing film by supplying a second precursor on the first sub sealing film. Each of the first precursor and the second precursor includes a silicon, and the second precursor has a smaller molecular weight than a molecular weight of the first precursor. 다공성 절연막의 처리 방법 및 이를 이용한 반도체 소자의 제조 방법이 제공된다. 본 발명의 실시예에 따른 다공성 절연막의 처리 방법은 개구부를 갖는 다공성 절연막이 형성된 기판을 준비하는 것, 상기 다공성 절연막은 상기 개구부에 의해 노출되는 복수의 기공들을 포함하고, 상기 기판 상에 제1 전구체를 공급하여 상기 노출된 기공들을 실링하는 제1 서브 실링막을 형성하는 것 및 상기 제1 서브 실링막 상에 제2 전구체를 공급하여 상기 제1 서브 실링막을 덮는 제2 서브 실링막을 형성하는 것을 포함하고, 상기 제1 및 제2 전구체들 각각은 실리콘을 포함하되, 상기 제2 전구체는 상기 제1 전구체보다 작은 분자량을 갖는다.