POWER TRANSISTOR WITH FIELD-ELECTRODE

• Main Authors: BARTELS MARTIN, WEIS ROLF
• Format: Patent
• Language: English; Korean
• Published: 02.06.2016
• Subjects: BASIC ELECTRIC ELEMENTS; ELECTRIC SOLID STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR; ELECTRICITY; SEMICONDUCTOR DEVICES

Disclosed are a semiconductor device and a method for generating the semiconductor device. The semiconductor device comprises at least two transistor cells. Inside a semiconductor pin of a semiconductor body, each of the at least two transistor cells comprises: a drain region; a drift region; a body region; a source region adjacent to the body region; a gate electrode adjacent to the source region and dielectrically separated from the body region by a gate dielectric; and a field electrode dielectrically separated from the drift region by a field electrode dielectric and connected to the source region. The field electrode dielectric is arranged in a first trench between the semiconductor pin and the field electrode. The at least two transistor cells includes a first transistor cell and a second transistor cell. A semiconductor pin of the first transistor cell is separated from a semiconductor pin of the second transistor by a second trench different from the first trench. 반도체 디바이스 및 반도체 디바이스를 생성하는 방법이 개시된다. 반도체 디바이스는 적어도 두 개의 트랜지스터 셀을 포함한다. 적어도 두 개의 트랜지스터 셀은 각기 반도체 몸체의 반도체 핀 내 드레인 영역, 드리프트 영역, 및 몸체 영역과, 몸체 영역에 인접하는 소스 영역과, 몸체 영역에 인접하고 게이트 유전체에 의해 몸체 영역으로부터 유전성으로 분리된 게이트 전극과, 필드 전극 유전체에 의해 드리프트 영역으로부터 유전성으로 분리되고 소스 영역에 연결된 필드 전극을 포함한다. 필드 전극 유전체는 반도체 핀과 필드 전극 사이의 제 1 트렌치에서 배열된다. 적어도 두 개의 트랜지스터 셀은 제 1 트랜지스터 셀 및 제 2 트랜지스터 셀을 포함한다. 제 1 트랜지스터 셀의 반도체 핀은 제 1 트렌치와 상이한 제 2 트렌치에 의해 제 2 트랜지스터 셀의 반도체 핀으로부터 분리된다.