MEMORY DEVICE HAVING A BURIED GATE AND METHOD OF FABRICATING THE SAME

• Main Authors: KIM, YONG JUN, PARK, KEE SHIK, KAHNG, JAE ROK, LEE, SANG JUN, HAN, DONG GYUN, SONG, JUNG WOO
• Format: Patent
• Language: English; Korean
• Published: 01.06.2016
• Subjects: BASIC ELECTRIC ELEMENTS; ELECTRIC SOLID STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR; ELECTRICITY; SEMICONDUCTOR DEVICES

Disclosed is a memory device comprising: a substrate including active regions and device isolation regions; active patterns formed in trenches formed in the device isolation regions and the active regions and protruding from the substrate; device isolation films filling the trenches; gate trenches formed over the active patterns and the device isolation films; and gate line stacks filling the gate trenches. The gate trenches have a first width in the device isolation film and a second width in the active pattern, and the first width is greater than the second width. 액티브 영역들과 소자 분리 영역들을 포함하는 기판, 상기 소자 분리 영역에 형성된 트렌치들 및 상기 액티브 영역들에 형성되고 및 상기 기판으로부터 돌출된 액티브 패턴들, 상기 트렌치들을 채우는 소자 분리막들, 상기 액티브 패턴들 및 소자 분리막들에 걸쳐 형성된 게이트 트렌치들, 및 상기 게이트 트렌치들을 채우는 게이트 라인 스택들을 포함하고, 상기 게이트 트렌치의 폭은 상기 소자 분리막에 형성된 제 1 폭이 상기 액티브 패턴에 형성된 제 2 폭보다 넓은 메모리 소자가 제안된다.