MOS Semiconductor device having metal oxide semiconductor capacitor

• Main Authors: YOO, JAE HYUN, JEON, JONG SUNG, KIM, SU TAE, JANG, SEONG HUN, NOH, JIN HYUN, LEE, BYEONG RYEOL
• Format: Patent
• Language: English; Korean
• Published: 30.05.2016
• Subjects: BASIC ELECTRIC ELEMENTS; ELECTRIC SOLID STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR; ELECTRICITY; SEMICONDUCTOR DEVICES

A semiconductor device comprises: a substrate including a first impurity diffusion region having a first doping concentration, and at least one second impurity diffusion region having a second doping concentration different from the first doping concentration, and surrounded by the first impurity diffusion region; at least one electrode facing the first impurity diffusion region and the at least one second impurity diffusion region; and at least one insulation layer mounted between the first impurity diffusion region and the at least one second impurity diffusion region, and the electrode. The semiconductor device comprises a metal oxide semiconductor (MOS) capacitor having a structure which can provide a reduced minimum capacitance (Cmin) to increase a range between maximum capacitance (Cmax) and Cmin. 반도체 소자는 제1 도핑 농도를 가지는 제1 불순물 확산 영역과, 제1 불순물 확산 영역에 의해 포위되고 제1 도핑 농도와 다른 제2 도핑 농도를 가지는 적어도 하나의 제2 불순물 확산 영역을 포함하는 기판과, 제1 불순물 확산 영역 및 적어도 하나의 제2 불순물 확산 영역과 대면하는 적어도 하나의 전극과, 제1 불순물 확산 영역 및 적어도 하나의 제2 불순물 확산 영역과 전극과의 사이에 개재된 적어도 하나의 절연막을 포함한다.