LIGHT EMITTING DEVICE AND METHOD OF MAKING THE SAME

• Main Authors: JANG, SAM SEOK, KWAK, WOO CHUL, KIM, KYUNG HAE, JUNG, JUNG WHAN
• Format: Patent
• Language: English; Korean
• Published: 20.05.2016
• Subjects: BASIC ELECTRIC ELEMENTS; ELECTRIC SOLID STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR; ELECTRICITY; SEMICONDUCTOR DEVICES

Disclosed are a light emitting device and a manufacturing method thereof. The light emitting device comprises: a patterned sapphire substrate (PSS) including a plurality of concave units and convex units on an upper surface; a buffer layer including a concave unit buffer layer placed on the concave unit and a convex unit buffer layer placed on a side surface of the convex unit and dispersed as a form of a plurality of islands; a lower nitride layer placed on the buffer layer and the PPS and covering the convex unit; a cavity arranged on an interface between the side surface of the convex unit and the lower nitride layer; a first conductive semiconductor layer arranged on the lower nitride layer; a second conductive semiconductor layer arranged on the first conductive semiconductor layer; and an active layer arranged between the first and second conductive semiconductor layers. According to the present invention, a crystalline property of a semiconductor device may be improved, and light emitting efficiency can be enhanced. 발광 소자 및 그 제조 방법이 개시된다. 상기 발광 소자는, 상면에 복수의 오목부 및 돌출부를 포함하는 패터닝된 사파이어 기판(PSS); 오목부 상에 위치하는 오목부 버퍼층, 및 돌출부의 측면 상에 위치하며, 복수의 아일랜드 형태로 분산되어 배치된 돌출부 버퍼층을 포함하는 버퍼층; 버퍼층 및 상기 PSS 상에 위치하며, 돌출부를 덮는 하부 질화물층; 돌출부의 측면과 상기 하부 질화물층 간의 계면에 위치하는 공동; 하부 질화물층 상에 위치하는 제1 도전형 반도체층; 제1 도전형 반도체층 상에 위치하는 제2 도전형 반도체층; 및 제1 및 제2 도전형 반도체층의 사이에 위치하는 활성층을 포함한다.