METHOD OF MANUFACTURING SEMICONDUCTOR DEVICE

• Main Authors: SHIGIHARA HIROMI, YAJIMA KEI, AKIBA TOSHIHIKO
• Format: Patent
• Language: English; Korean
• Published: 17.05.2016
• Subjects: BASIC ELECTRIC ELEMENTS; ELECTRIC SOLID STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR; ELECTRICITY; SEMICONDUCTOR DEVICES

The object of the present invention is to improve the reliability of a semiconductor device and achieve the reduction in size of the semiconductor device. A semiconductor wafer (SW) is provided that has a first insulating member (IOL) with an opening (OP1) that exposes from which an upper surface of an electrode pad (EP). Subsequently, after forming a second insulating member (OL) over a main surface of the semiconductor wafer (SW), an opening (OP2) is formed to expose the upper surface of the electrode pad (EP) in the second insulating member (OL). Then, a probe needle comes in contact with the electrode pad (EP), to write data in a memory circuit on the main surface of the semiconductor wafer (SW). Subsequently, after covering the upper surface of the electrode pad (EP) with a conductive cover film (CF), a relocation wiring (RW) is formed. Herein, in direction Y, the width (L_(RW)) of the relocation wiring (RW) positioned directly above the electrode pad (EP) is equal to or smaller than the width (L_(OP1)) of the opening (OP1) formed in the first insulating member (IOL). 본 발명의 과제는, 반도체 장치의 신뢰성을 향상시키고, 또한 반도체 장치의 소형화를 실현하는 것이다. 전극 패드(EP)의 상면이 노출되는 개구부(OP1)가 형성된 제1 절연 부재(IOL)를 갖는 반도체 웨이퍼(SW)를 준비한다. 계속해서, 반도체 웨이퍼(SW)의 주면 상에 제2 절연 부재(OL)를 형성한 후, 전극 패드(EP)의 상면이 노출되는 개구부(OP2)를 제2 절연 부재(OL)에 형성한 후, 전극 패드(EP)에 프로브 니들을 접촉시켜, 반도체 웨이퍼(SW)의 주면에 형성된 메모리 회로에 데이터를 기입한다. 계속해서, 전극 패드(EP)의 상면을 도전성의 커버막(CF)으로 덮은 후, 재배치 배선(RW)을 형성한다. 여기서, Y 방향에 있어서, 전극 패드(EP)의 바로 위에 위치하는 재배치 배선(RW)의 폭 L는, 제1 절연 부재(IOL)에 형성된 개구부(OP1)의 폭 L과 동일하거나, 그것보다도 작다.