PLASMA PROCESSING APPARATUS

• Main Author: YOSHIKAWA JUN
• Format: Patent
• Language: English; Korean
• Published: 13.05.2016
• Subjects: BASIC ELECTRIC ELEMENTS; ELECTRIC SOLID STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR; ELECTRIC TECHNIQUES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR; ELECTRICITY; PLASMA TECHNIQUE; PRODUCTION OF ACCELERATED ELECTRICALLY-CHARGED PARTICLES OR OFNEUTRONS; PRODUCTION OR ACCELERATION OF NEUTRAL MOLECULAR OR ATOMICBEAMS; SEMICONDUCTOR DEVICES

The present invention is to introduce gas without generating discharge. The plasma processing apparatus comprises: a processing container which partitions a processing space; a gas supply unit which is installed on a side wall of the processing container and supplies the processing space; a dielectric member which has an opposed face opposed to the processing space; and an antenna which is installed on the face opposite to the opposed face of the dielectric member, and radiates a microwave for making gas into plasma, to the processing space through the dielectric member. The gas supply unit has a transport hole for transporting gas to a position not reaching the processing space inside the side wall of the processing container, and an injection hole which communicates with the transport hole, injects the gas transported to the position, to the processing space, and has a diameter larger than that of the transport hole. 본 발명은 방전을 발생시키지 않고 가스를 도입하는 것을 목적으로 한다. 플라즈마 처리 장치는, 처리 공간을 구획하는 처리 용기와, 상기 처리 용기의 측벽에 설치되고, 처리 공간에 가스를 공급하는 가스 공급부와, 처리 공간에 대향하는 대향면을 갖는 유전체 부재와, 유전체 부재의 대향면과는 반대측의 면 상에 설치되고, 가스를 플라즈마화하는 마이크로파를, 유전체 부재를 통해 처리 공간에 방사하는 안테나를 구비한다. 가스 공급부는, 처리 용기의 측벽의 내부에서 처리 공간에 도달하지 않는 위치까지 가스를 수송하는 수송 구멍과, 수송 구멍에 연통(連通)되고, 그 위치까지 수송된 가스를 처리 공간에 분사하는 분사 구멍으로서, 수송 구멍보다 직경이 큰 분사 구멍을 갖는다.