STRUCTURE AND FORMATION METHOD OF DAMASCENE STRUCTURE

• Main Authors: PENG TAI YEN, WU CHIA TIEN, CHENG JYE YEN
• Format: Patent
• Language: English; Korean
• Published: 26.04.2016
• Subjects: BASIC ELECTRIC ELEMENTS; ELECTRIC SOLID STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR; ELECTRICITY; SEMICONDUCTOR DEVICES

Provided are a structure and a manufacturing method of a semiconductor device. The semiconductor device comprises a semiconductor substrate and a first conductive feature on the semiconductor substrate. In addition, the semiconductor device further includes a first dielectric layer over the semiconductor substrate and configured to surround the first conductive feature. The semiconductor device further comprises a second conductive feature over the first conductive feature, and the second conductive feature extends into the first conductive feature. Also, the semiconductor device includes a second dielectric layer over the first dielectric layer and configured to surround the second conductive feature. According to the present invention, performance and reliability of a semiconductor device are substantially improved. 반도체 디바이스의 구조물 및 형성방법이 제공된다. 반도체 디바이스는 반도체 기판과, 반도체 기판 위에 있는 제1 도전성 피처를 포함한다. 반도체 디바이스는 또한, 반도체 기판 위에 있으며 제1 도전성 피처를 둘러싸는 제1 유전체층을 포함한다. 반도체 디바이스는 제1 도전성 피처 위에 있는 제2 도전성 피처를 더 포함하며, 제2 도전성 피처는 제1 도전성 피처 내로 연장한다. 또한, 반도체 디바이스는, 제1 유전체층 위에 있으며 제2 도전성 피처를 둘러싸는 제2 유전체층을 포함한다.