COPPER METAL FILM METHOD FOR PRODUCING SAME COPPER METAL PATTERN CONDUCTIVE WIRING LINE USING THE COPPER METAL PATTERN COPPER METAL BUMP HEAT CONDUCTION PATH BONDIG MATERIAL AND LIQUID COMPOSITION
기판 밀착성, 저체적 저항률, 심부 금속성이 양호한 금속 구리막, 및 그 금속 구리막을 기판의 데미지 없이 심부까지 환원하여 제조할 수 있는 금속 구리막의 제조 방법을 제공한다. 구리 산화물과, 금속상의 천이 금속 혹은 합금, 또는 금속 원소를 포함하는 천이 금속 착체를 함께 함유하여 이루어지는 구리계 입자 퇴적층을, 120℃ 이상으로 가열한 가스상의 포름산 및/또는 포름알데히드에 의해 처리해서 이루어지는 것을 특징으로 하는 금속 구리막이다. 상기 구리 산화물로서는, 산화 제1구리 및/또는 산화 제2구리인 것이 바람직하고, 상기 천...
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Format | Patent |
Language | English Korean |
Published |
22.04.2016
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Summary: | 기판 밀착성, 저체적 저항률, 심부 금속성이 양호한 금속 구리막, 및 그 금속 구리막을 기판의 데미지 없이 심부까지 환원하여 제조할 수 있는 금속 구리막의 제조 방법을 제공한다. 구리 산화물과, 금속상의 천이 금속 혹은 합금, 또는 금속 원소를 포함하는 천이 금속 착체를 함께 함유하여 이루어지는 구리계 입자 퇴적층을, 120℃ 이상으로 가열한 가스상의 포름산 및/또는 포름알데히드에 의해 처리해서 이루어지는 것을 특징으로 하는 금속 구리막이다. 상기 구리 산화물로서는, 산화 제1구리 및/또는 산화 제2구리인 것이 바람직하고, 상기 천이 금속, 합금, 또는 천이 금속 착체가, 각각, Cu, Pd, Pt, Ni, Ag, Au, 및 Rh로 이루어지는 군으로부터 선택되는 금속, 또는 그 금속을 포함하는 합금, 또는 그 금속 원소를 포함하는 착체인 것이 바람직하다.
Disclosed are: a copper metal film which has good adhesion to a substrate, low volume resistivity, and good deep-part metal properties; and a method for producing a copper metal film, wherein the copper metal film can be produced by reducing a substrate to a deep part thereof without damaging the substrate. Specifically disclosed is a copper metal film obtained by treating a copper-based particle deposition layer containing both copper oxides and a metallic transition metal or alloy, or a transition metal complex containing a metal element, with gaseous formic acid and/or formaldehyde heated to 120°C or higher. The copper oxide is preferably copper (I) oxide and/or copper (II) oxide. The transition metal, alloy or metal complex are preferably a metal selected from the group consisting of Cu, Pd, Pt, Ni, Ag, Au and Rh, an alloy containing the metal, or a complex containing the metal element, respectively. |
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Bibliography: | Application Number: KR20167009435 |