PHOTONIC ACTIVATION OF REACTANTS FOR SUB-MICRON FEATURE FORMATION USING DEPLETED BEAMS

미세 피쳐 형성 방법 및 장치는 STED 디플리션 레이저 빔의 직경 또는 단면보다 작은 영역 내에서의 광자 유도된 퇴적, 에칭, 및 열 또는 광자 기반 처리를 제공한다. 적어도 2개의 STED 디플리션 빔은 기판 상의 반응 위치에 지향되며, 거기에서 빔들의 여기 부분보다 작은 면적을 갖는 빔 중첩 영역이 형성된다. 반응 영역에 도입되는 반응물 또는 반응물들은 2개의 빔의 여기 부분들의 결합된 에너지에 의해 여기되지만, 빔들의 2개의 여기 부분의 중첩 영역 외부에서는 여기되지 않는다. 반응물은 중첩 영역 내에서만 발생하게 된다. 중첩...

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Main Authors MOFFATT STEPHEN, MACK JAMES FRANCIS
Format Patent
LanguageEnglish
Korean
Published 19.04.2016
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Summary:미세 피쳐 형성 방법 및 장치는 STED 디플리션 레이저 빔의 직경 또는 단면보다 작은 영역 내에서의 광자 유도된 퇴적, 에칭, 및 열 또는 광자 기반 처리를 제공한다. 적어도 2개의 STED 디플리션 빔은 기판 상의 반응 위치에 지향되며, 거기에서 빔들의 여기 부분보다 작은 면적을 갖는 빔 중첩 영역이 형성된다. 반응 영역에 도입되는 반응물 또는 반응물들은 2개의 빔의 여기 부분들의 결합된 에너지에 의해 여기되지만, 빔들의 2개의 여기 부분의 중첩 영역 외부에서는 여기되지 않는다. 반응물은 중첩 영역 내에서만 발생하게 된다. 중첩 영역은 작은 면적에서 기판 피쳐들의 형성 또는 기판에서의 변화를 가능하게 하기 위해 20nm 미만의 너비이며 1nm 미만의 폭일 수 있다. A fine feature formation method and apparatus provide photon induced deposition, etch and thermal or photon based treatment in an area of less than the diameter or cross section of a STED depleted laser beam. At least two STED depleted beams are directed to a reaction location on a substrate where a beam overlap region having an area smaller than the excitation portion of the beams is formed. A reactant or reactants introduced to the reaction region is excited by the combined energy of the excitation portions of the two beams, but not excited outside of the overlap region of the two excitation portions of the beams. A reactant is caused to occur only in the overlap region. The overlap region may be less that 20 nm wide, and less than 1 nm in width, to enable the formation of substrate features, or the change in the substrate, in a small area.
Bibliography:Application Number: KR20167006203