FULLERENES

본 개시내용은 신규한 풀러렌 유도체, 이로부터 제조된 포지티브 및 네가티브 포토레지스트 조성물 및 이를 사용하는 방법에 관한 것이다. 유도체, 이의 포토레지스트 조성물 및 방법은 예를 들어 자외 방사선, 극자외 방사선, 초극자외 방사선, X선, 전자 빔 및 다른 하전 입자 선을 사용하는 고속, 미세 패턴 가공에 이상적이다. The present disclosure relates to novel fullerene derivatives, positive and negative photoresist compositions prepared...

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Main Authors PALMER RICHARD EDWARD, FROMMHOLD ANDREAS, ROBINSON ALEX PHILIP GRAHAM, YANG DONGXU
Format Patent
LanguageEnglish
Korean
Published 14.04.2016
Subjects
APPARATUS SPECIALLY ADAPTED THEREFOR
CHEMISTRY
CINEMATOGRAPHY
ELECTRICITY
ELECTROGRAPHY
HETEROCYCLIC COMPOUNDS
HOLOGRAPHY
MATERIALS THEREFOR
METALLURGY
ORGANIC CHEMISTRY
ORIGINALS THEREFOR
PHOTOGRAPHY
PHOTOMECHANICAL PRODUCTION OF TEXTURED OR PATTERNED SURFACES,e.g. FOR PRINTING, FOR PROCESSING OF SEMICONDUCTORDEVICES
PHYSICS
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Summary:본 개시내용은 신규한 풀러렌 유도체, 이로부터 제조된 포지티브 및 네가티브 포토레지스트 조성물 및 이를 사용하는 방법에 관한 것이다. 유도체, 이의 포토레지스트 조성물 및 방법은 예를 들어 자외 방사선, 극자외 방사선, 초극자외 방사선, X선, 전자 빔 및 다른 하전 입자 선을 사용하는 고속, 미세 패턴 가공에 이상적이다. The present disclosure relates to novel fullerene derivatives, positive and negative photoresist compositions prepared therefrom and methods of using them. The derivatives, their photoresist compositions and the methods are ideal for high speed, fine pattern processing using, for example, ultraviolet radiation, extreme ultraviolet radiation, beyond extreme ultraviolet radiation, X-rays, electron beam and other charged particle rays.
Bibliography:Application Number: KR20157036147